MSCSM120SKM31CTBL1NG

Описание MSCSM120SKM31CTBL1NG от Microchip

Общее описание

MSCSM120SKM31CTBL1NG - это мощный N-канальный MOSFET транзистор с использованием технологии SiCFET (карбид кремния) производства компании Microchip. Он предназначен для работы при высоких напряжениях до 1200 В и токах до 79 А. Этот транзистор сочетает в себе высокую эффективность, низкое сопротивление открытого канала и способность справляться с большими мощностями.

Преимущества

• Высокая эффективность: Отличная производительность при высоких уровнях напряжения и тока.
• Широкий диапазон температур: Рабочий диапазон от -55°C до 175°C гарантирует надежность в экстремальных условиях эксплуатации.
• Малая величина зарядки затвора: Что облегчает управление и уменьшает потери энергии.
• Низкое сопротивление Rds(on): Снижает потери энергии в открытом состоянии.

Недостатки

• Требования к управлению: Для полного разложения потенциала требуется управления разрядами более высокого напряжения.
• Цена: Технология карбида кремния часто дороже по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.

Типовое использование

• Электроприводы
• Силовые преобразователи
• Инверторы и преобразователи энергии
• Высокомощные импульсные источники питания
• Солнечные инверторы
• Электромобили

Рекомендации по применению

• Монтаж: Рекомендуется использовать соответствующие радиаторы для отвода тепла, чтобы минимизировать температурные нагрузки на компонент.
• Защита: Следует включать соответствующие защитные схемы для предотвращения превышения допустимого уровня напряжения и тока.
• Управление: Управляющие цепи должны быть рассчитаны на работу с высоким зарядом затвора для оптимизации работы транзистора.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный
• Технология: Карбид кремния (SiCFET)
• Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
• Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 79 А
• Максимальная мощность рассеивания: 310 Вт
• Сопротивление Rds(on): 31 мОм при 40А и 20В
• Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): +25В, -10В
• Заряд затвора (Qg): 232 нК при 20 В
• Входная емкость (Ciss): 3020 пФ при 1000 В
• Операционная температура: -55°C ~ 175°C (Tj)
• Тип монтажа: На шасси

Возможные аналоги

• C3M0016120D от Cree: Диапазон напряжений до 1200 В, 36 мОм Rds(on).
• GS66508T от GaN Systems: N-канальный GaN транзистор, 650 В, 34 мОм Rds(on).

MSCSM120SKM31CTBL1NG является идеальным выбором для приложений, требующих высокой производительности и надежности при работе с высокими напряжениями и токами.