MSCSM120AM50CT1AG от Microchip

Общее описание

MSCSM120AM50CT1AG - это высокоэффективный модуль MOSFET, основанный на технологии кремния карбида (SiC). Этот двухканальный (Dual N-Channel) MOSFET модуль рассчитан на напряжение до 1200 В и может выдерживать постоянный ток до 55 А при 25°C. Компактный и высоконадежный корпус SP1F позволяет использовать модуль в различных промышленных приложениях, требующих высокой мощности и эффективности.

Преимущества

• Высокая эффективность: Технология SiC позволяет значительно уменьшить потери энергии.
• Высокая мощность (245 Вт): Обеспечивает стабильную производительность при высокой нагрузке.
• Компактный и надежный корпус (SP1F): Удобен для монтажа и обеспечивает хорошее управление тепловыми режимами.
• Широкий температурный диапазон: Рабочий диапазон от -40°C до 175°C обеспечивает стабильную работу в различных условиях эксплуатации.

Недостатки

• Стоимость: Компоненты на основе SiC могут быть дороже в сравнении с традиционными кремниевыми MOSFET.
• Необходимость в специализированных драйверах: Для полной реализации потенциала технологии SiC могут потребоваться специализированные драйверы.

Типовое использование

• Промышленные инверторы
• Бесперебойные источники питания (UPS)
• Электромобили и зарядные станции
• Высокочастотные переключатели
• Силовые преобразователи

Рекомендации по применению

• Следует обеспечить эффективное охлаждение для поддержания оптимальной работы модуля.
• Используйте драйверы, совместимые с SiC-MOSFET, для достижения максимальной производительности.
• При монтаже убедитесь в надежности и качества соединений, учитывая высокое напряжение и ток.

Основные технические характеристики

• Конфигурация: Два N-канальных MOSFET (Phase Leg)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В (1,2 кВ)
• Постоянный ток стока (Id) @ 25°C: 55 А (Tc)
• Сопротивление сток-исток (Rds On) @ Id, Vgs: 50 мОм @ 40 А, 20 В
• Пороговое напряжение стока-истока (Vgs(th)) @ Id: 2,7 В @ 1 мА
• Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 137 нКл @ 20 В
• Входная емкость (Ciss) @ Vds: 1990 пФ @ 1000 В
• Максимальная мощность: 245 Вт (Tc)
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (Tj)
• Тип корпуса: Монтаж на шасси (Chassis Mount)
• Корпус/габариты: SP1F

Возможные аналоги

• Cree C2M0025120D: MOSFET на основе SiC с похожими характеристиками.
• ROHM SCT3022ALGC11: Один из аналогов, предлагающий схожие производственные преимущества.

Заключение

MSCSM120AM50CT1AG от Microchip - это надежный и высокоэффективный компонент для силовых приложений, который сочетает в себе новейшие достижения технологии SiC. Его использование позволяет значительно увеличить КПД систем и улучшить их общую производительность.