MSCSM120AM11CT3AG от Microchip

Общее описание

MSCSM120AM11CT3AG — это двухканальный модуль MOSFET на основе карбида кремния (SiC) от компании Microchip. Данный модуль предназначен для работы при высоком напряжении до 1200В и обеспечивает максимальный ток до 254А при 25°C. Корпус модуля имеет конфигурацию SP3F и предназначен для монтажа на шасси.

Преимущества

• Высокая эффективность: технология SiC обеспечивает низкие потери при переключении и высокую эффективность.
• Высокое напряжение: поддержка напряжения до 1200В, что делает его идеальным для высоковольтных приложений.
• Высокий ток: модуль способен выдерживать до 254А, что подходит для мощных приложений.
• Компактный корпус: конфигурация SP3F для удобного монтажа и оптимального теплоотвода.
• Широкий диапазон рабочих температур: от -40°C до 175°C.

Недостатки

• Высокая стоимость: технология SiC обычно дороже традиционных кремниевых решений.
• Сложность в интеграции: требует дополнительных мер по защите и управлению.

Типовое использование

• Инверторы: подходит для использования в промышленных и возобновляемых источниках энергии.
• Приводы двигателей: идеален для мощных приводов двигателей в различных секторах, включая автомобили.
• Блоки питания высокой мощности: в проектировании мощных источников питания с высоким КПД.
• Другие высоковольтные приложения: любые системы, где требуется высокая надежность и стабильность при высоких напряжениях.

Рекомендации по применению

• Теплоотвод: необходимо обеспечить адекватное охлаждение для модуля, так как высокая мощность предполагает значительное тепловыделение.
• Контроль и защита: дополнительные компоненты для защиты и контроля могут быть необходимы для предотвращения повреждений и увеличения срока службы.
• Паять с осторожностью: избегайте перегрева при пайке, чтобы не повредить модуль.

Основные технические характеристики

• Конфигурация: Два N-канальных (Phase Leg)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200В (1.2кВ)
• Ток стока (Id) при 25°C: 254А (Tc)
• Сопротивление (Rds On) при Id, Vgs: 10.4мОм при 120А, 20В
• Пороговое напряжение (Vgs(th)) при Id: 2.8В при 3мА
• Заряд затвора (Qg) при Vgs: 696нК при 20В
• Входная емкость (Ciss) при Vds: 9060пФ при 1000В
• Максимальная мощность (Р): 1.067кВт (Tc)
• Рабочая температура (TJ): -40°C ~ 175°C
• Тип монтажа: Монтаж на шасси
• Корпус / упаковка: Модуль SP3F

Возможные аналоги

• STMicroelectronics: STPSC10H065DY
• Infineon Technologies: IMBG120R100M1H
• Wolfspeed: C3M0065090D

Этот модуль отличается высокой мощностью и надежностью, и будет наилучшим выбором для многих высоковольтных и высокомощных приложений.