MSCSM120AM042CT6LIAG

MSCSM120AM042CT6LIAG от Microchip

Общее описание

MSCSM120AM042CT6LIAG — это модуль биполярного транзистора с изолированным затвором MOSFET на основе карбида кремния (SiC), предоставляемый компанией Microchip. Этот компонент обеспечивает высокую эффективность и надежность, что делает его превосходным выбором для использования в высоковольтных и высокотоковых приложениях.

Преимущества

• Высокая эффективность: Благодаря использованию технологии карбида кремния (SiC), данный транзистор обладает низкими потерями при переключении.
• Высокая температура эксплуатации: Рабочий температурный диапазон от -40°C до +175°C.
• Высокое напряжение пробоя: Выдерживает напряжение до 1200V (1.2kV).
• Высокий ток: Обеспечивает до 495A при 25°C.

Недостатки

• Для использования необходимы специальные драйвера: Из-за высокого напряжения и токов возможно потребуются специальные драйвера.
• Стоимость: Обычно такие передовые технологии стоят дороже по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.

Типовое использование

• Энергетика: Преобразователи мощностей и инверторы.
• Моторный привод: Системы управления двигателем с высокой надежностью.
• Электротранспорт: Тяговый контур для электромобилей.

Рекомендации по применению

• Теплоотвод: Для достижения максимальной надежности, используйте эффективные теплоотводы и системы охлаждения.
• Импульсные приложения: Данный компонент отлично подходит для импульсных приложений благодаря низкому Rds(on) и быстрой скорости переключения.
• Защита драйвера: Обеспечьте надлежащую защиту драйвера в условиях высоких напряжений и токов.

Основные технические характеристики

• Конфигурация: 2 N-канальных (Phase Leg)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200V (1.2kV)
• Непрерывный ток стока (Id) при 25°C: 495A (Tc)
• Макс Rds(on) при Id, Vgs: 5.2mОм при 240A, 20V
• Пороговое напряжение Vgs(th): 2.8V при 6mA
• Заряд затвора (Qg) при Vgs: 1392нК при 20V
• Входная емкость (Ciss) при Vds: 18100пФ при 1kV
• Максимальная мощность: 2.031кВт (Tc)
• Рабочая температура: -40°C ~ +175°C (Tj)
• Монтаж: На корпус
• Корпус / Корпус поставщика: SP6C LI

Возможные аналоги

• Wolfspeed C3M0075120K: SiC MOSFET от Wolfspeed с аналогичными характеристиками.
• Infineon FF1200R12IE4: Модуль IGBT от Infineon с 1200V, подходящий для высоковольтных применений.

Эти специфические характеристики делают MSCSM120AM042CT6LIAG идеальным кандидатом для высокопроизводительных и надежных приложений, таких как преобразователи мощностей, моторные приводы и систем тяговых контуров в электротранспорте.