MSCSM120AM03CT6LIAG

MSCSM120AM03CT6LIAG от Microchip

Общее описание

MSCSM120AM03CT6LIAG – это мощный SiC MOSFET модуль от компании Microchip, работающий при напряжении до 1200 В и токе до 805 А. Модуль выполнен в корпусе SP6C LI и предназначен для шасси-крепления, что значительно упрощает его интеграцию в высокоэнергетические приложения.

Преимущества

• Высокая напряжение и токовая дееспособность: Обеспечивает стабильную работу при напряжении до 1200 В и токах до 805 А.
• Низкое сопротивление в открытом состоянии: Обеспечивает минимальные потери мощности и тепловыделение.
• Широкий диапазон рабочих температур: Подходит для работы в условиях от -40°C до +175°C.
• Силикон-карбид (SiC) технология: Обеспечивает высокую эффективность и надежность при высоких напряжениях и токах.

Недостатки

• Стоимость: SiC компоненты обычно дороже кремниевых аналогов.
• Требовательность к управлению: Для эффективного использования требуются продуманные схемы управления и защиты.

Типовое использование

• Высоковольтные преобразователи мощности.
• Применения в энергетике, требующие высокой эффективности и надежности.
• Моторные приводы и промышленные инверторы.
• Применения в автомобилестроении, включая электромобили и гибридные автомобили.
• Возобновляемые источники энергии, такие как солнечные инверторы и ветроэнергетические системы.

Рекомендации по применению

• Обеспечьте адекватное охлаждение и тепловое управление.
• Используйте драйверы, способные работать с SiC MOSFET.
• Учтите необходимость дополнительных схем защиты от перенапряжения и перегрузки тока.
• Следуйте рекомендациям производителя по монтажу и подключению для избежания перегрева и электромагнитных помех.

Основные технические характеристики

• Технология: Силикон-карбид (SiC)
• Конфигурация: 2 канала N-типа (Фазовая Нога)
• Напряжение исток-сток (Vdss): 1200 В (1.2 кВ)
• Ток стока (Id) при 25°C: 805 А (Tc)
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds On) при Id, Vgs: 3.1 мОм при 400 А, 20 В
• Пороговое напряжение затвора (Vgs(th)) при Id: 2.8 В при 10 мА
• Заряд затвора (Qg) при Vgs: 2320 нКл при 20 В
• Входная емкость (Ciss) при Vds: 30200 пФ при 1 кВ
• Максимальная мощность: 3.215 кВт (Tc)
• Рабочая температура: -40°C ~ 175°C (TJ)
• Тип монтажа: Шасси-крепление
• Корпус: Модуль
• Тип корпуса поставщика: SP6C LI

Возможные аналоги

• Wolfspeed: C2M0080120D (1200V, 80A, SiC MOSFET)
• Infineon: IMW120R040M1H (1200V, 80A, SiC MOSFET)
• ROHM: SCT3022AL (1200V, 100A, SiC MOSFET)

MSCSM120AM03CT6LIAG является идеальным выбором для требовательных приложений, требующих высокой мощности и надежности, предоставляя значительное преимущество благодаря низким потерям и высокой эффективности.