MSCSM120AM027CD3AG от Microchip

Общее описание

MSCSM120AM027CD3AG - это модуль на основе карбида кремния (SiC) от компании Microchip. Он представляет собой мощный кремниевый MOSFET транзистор, обладающий высокой эффективностью и надежностью. Модуль включает два N-канальных MOSFET транзистора, соединенных в конфигурацию фазного моста (Phase Leg).

Преимущества

• Высокая эффективность: благодаря использованию технологии карбида кремния, модуль обеспечивает низкие потери при переключении и высокую энергоэффективность.
• Высокая мощность: модуль способен выдерживать ток до 733А и напряжение до 1200В.
• Широкий диапазон температур: модуль может работать при температуре от -40°C до 175°C.
• Низкое значение Rds(on): минимальное сопротивление в состоянии открытого канала (всего 3,5 мОм), что уменьшает потери мощности.

Недостатки

• Стоимость: компоненты на основе карбида кремния (SiC) обычно дороже, чем их кремниевые аналоги.
• Требования к драйверам: для управления такими транзисторами требуются специализированные драйверы с поддержкой высоких скоростей переключения и больших токов на затворе.

Типовое использование

• Электромобили: применяется в инверторах и силовой электронике электромобилей, обеспечивая высокую эффективность и компактность.
• Промышленное оборудование: используется в преобразователях частоты, источниках питания и других устройствах, требующих высокой мощности и надежности.
• HVAC: используется в системах управления тепловыми насосами и кондиционерами.

Рекомендации по применению

• Обеспечьте качественное охлаждение модуля для длительной и надежной работы.
• Используйте драйверы затвора, совместимые с SiC MOSFET, для достижения максимальной эффективности.
• При проектировании схемы учитывайте высокие скорости переключения и минимальные паразитные индуктивности.

Основные технические характеристики

• Тип транзисторов: N-канальный
• Максимальное напряжение на исток-сток (Vdss): 1200 В
• Максимальный постоянный ток стока (Id) @ 25°C: 733 А
• Сопротивление в состоянии открытого канала (Rds(on)): 3.5 мОм
• Заряд затвора (Qg): 2088 нК при 20 В
• Мощность (Pmax): 2,97 кВт
• Рабочая температура: от -40°C до 175°C
• Установка: монтаж на шасси

Возможные аналоги

• Cree C2M0080120D: аналогичный SiC MOSFET транзистор с высоким напряжением и током.
• Rohm SCT3040AL: аналогичный продукт от компании Rohm с минимальным сопротивлением в состоянии открытого канала.

Этот модуль идеально подходит для высокопроизводительных и энергоэффективных приложений, обеспечивая долговечность и надежность в самых сложных условиях.