MSCDC200H70AG

86 880,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Описание компонента MSCDC200H70AG от Microchip

Общее описание:

MSCDC200H70AG — это модуль диодного моста на основе карбида кремния (SiC) от Microchip Technology. Этот компонент предназначен для использования в высокоэффективных приложениях, где требуется высокая производительность и надежность.

Преимущества:

  • Высокое напряжение обратного пробоя: Модуль способен выдерживать напряжение до 700 В, что делает его идеальным для приложений с высоким напряжением.
  • Низкое прямое падение напряжения: Благодаря использованию технологии SiC, диод обеспечивает низкое прямое падение напряжения, что снижает потери мощности и повышает эффективность.
  • Высокая температурная стабильность: Может работать при температурах до 175°C, что обеспечивает надежность в жестких условиях эксплуатации.

Недостатки:

  • Высокая стоимость: Карбид кремния как материал дороже традиционного кремния, что может увеличить стоимость проекта.
  • Ограниченная доступность: Компоненты на основе SiC могут быть не так широко доступны, как их аналоги на основе кремния.

Типовое использование:

  • Преобразователи мощности
  • Инверторы для возобновляемых источников энергии
  • Системы бесперебойного питания (UPS)
  • Промышленное оборудование высокой мощности

Рекомендации по применению:

Для достижения максимальной эффективности и надежности убедитесь, что схема обладает адекватным теплоотводом и защитой от перенапряжений. Также важно учитывать параметры максимального тока и напряжения при проектировании схемы.

Основные технические характеристики:

  • Тип диода: Однофазный
  • Технология: Карбид кремния (SiC)
  • Максимальное обратное напряжение: 700 В
  • Средний выпрямленный ток: 200 А
  • Максимальное прямое напряжение при заданном токе: 1.8 В при 200 А
  • Ток утечки при обратном напряжении: 800 µA при 700 В
  • Температурный диапазон работы: от -40°C до +175°C
  • Тип монтажа: Шасси
  • Корпус: Модуль

Возможные аналоги:

Для альтернативных решений можно рассмотреть другие диодные мосты на основе SiC от различных производителей, таких как Infineon, Cree (Wolfspeed) или STMicroelectronics, которые могут предложить различные параметры в зависимости от требований приложения.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК