MSCDC200H120AG

Описание продукта: MSCDC200H120AG от Microchip

Общее описание:

MSCDC200H120AG - это модуль диодного моста на основе карбида кремния (SiC) от Microchip Technology. Этот компонент предназначен для использования в высоковольтных и высокочастотных приложениях, где требуется эффективное управление мощностью.

Преимущества:

• Высокая эффективность: Благодаря использованию технологии SiC, диод обеспечивает более низкие потери мощности и более высокую эффективность по сравнению с традиционными кремниевыми диодами.
• Высокая термостойкость: Может работать при температурах до 175°C, что делает его идеальным для жестких рабочих условий.
• Улучшенная термическая производительность: Меньший тепловой сопротивление благодаря материалу карбида кремния.

Недостатки:

• Высокая стоимость: Компоненты на основе SiC обычно дороже, чем их кремниевые аналоги.
• Ограниченная доступность: Не так широко доступны, как кремниевые диоды.

Типовое использование:

• Преобразователи мощности
• Инверторы для возобновляемых источников энергии
• Системы электропитания для электротранспорта
• Промышленные источники питания высокой мощности

Рекомендации по применению:

Для достижения максимальной эффективности и надежности рекомендуется использовать адекватное теплоотводящее оборудование и учитывать температурные режимы работы устройства.

Основные технические характеристики:

• Тип диода: Однофазный
• Технология: Карбид кремния (SiC)
• Максимальное обратное напряжение: 1.2 кВ
• Средний выпрямленный ток: 200 А
• Максимальное прямое напряжение при заданном токе: 1.8 В при 200 А
• Ток утечки при обратном напряжении: 800 мкА при 1200 В
• Температурный диапазон работы: от -40°C до +175°C
• Тип монтажа: Шасси
• Корпус: Модуль

Возможные аналоги:

• C3D20060D от Cree Inc. - аналогичные характеристики, но может иметь различия в параметрах утечки и прямого напряжения.
• SKYPER 42 LJ от SEMIKRON - альтернативный модуль для применений, требующих более высоких напряжений.

Этот диодный модуль идеально подходит для приложений, требующих высокой эффективности и надежности в управлении мощностью.