MSC70SM120JCU3 Microchip Technology

Общее описание

MSC70SM120JCU3 — это кремниевый карбидный (SiC) полевой транзистор (FET) производства Microchip Technology с обратным напряжением до 1200 В и непрерывным током до 70 А. Этот компонент помещен в корпус SOT-227 (ISOTOP®), что обеспечивает его надежную работу в условиях высоких напряжений и токов. Благодаря своим характеристикам, данный SiC-FET применим в мощных преобразователях, источниках питания и системах управления электродвигателями.

Преимущества

• Высокая эффективность: за счет низкого сопротивления в открытом состоянии (Rds(on)) и быстрых переключений.
• Широкий температурный диапазон: работает в диапазоне -55°C ~ 150°C (TJ).
• Низкие потери на переключение, что обеспечивает меньший нагрев и повышает долговечность компонентов.

Недостатки

• Стоимость: SiC-компоненты обычно дороже традиционных кремниевых MOSFET.
• Необходимость специализированного драйвера для управления высоким напряжением.

Типовое использование

• Инверторы для солнечных панелей.
• Индустриальные преобразователи частоты.
• Высоковольтные источники питания.
• Системы управления электродвигателями.

Рекомендации по применению

• Обратить внимание на корректный выбор драйвера, подходящего для управления SiC-компонентами.
• При проектировании системы предусмотреть надежное охлаждение для отвода тепла, хотя SiC-компоненты и менее подвержены перегреву по сравнению с традиционными MOSFET.
• Использовать в системах, требующих высокой долговечности и низких потерь энергии.

Основные технические характеристики

• Тип: N-канальный SiC-FET
• Обратное напряжение (Vdss): 1200 В
• Непрерывный ток (Id) при 25°C: 70 А
• Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20 В
• Rds(on) (Max) при Id, Vgs: 80 мОм при 40 А, 20 В
• Vgs(th) (Max) при Id: 2.8 В при 1 мА
• Заряд затвора (Qg) (Max) при Vgs: 232 нК при 20 В
• Максимальное напряжение на затворе (Vgs): +25 В, -10 В
• Емкость затвора (Ciss) (Max) при Vds: 3020 пФ при 1000 В
• Рассеиваемая мощность (Max): 395 Вт (Tc)
• Тип монтажа: шасси
• Корпус: SOT-227 (ISOTOP®)
• Рабочий температурный диапазон: -55°C ~ 150°C (TJ)

Возможные аналоги

• C2M0045170D (Wolfspeed): аналогичный SiC-FET с напряжением 1700 В и током 45 А.
• SCT3022AL (ROHM): SiC-МОП-транзистор с напряжением 1200 В и током 103 А, в корпусе TO247.
• CAS100H12AM1 (Cree, Inc.): SiC МОДУЛЬ IGBT/MOSFET 1200 В 120 А.

MSC70SM120JCU3 от Microchip Technology — это мощное и эффективное решение для высоковольтных приложений, обеспечивающее высокую эффективность и надежность благодаря использованию кремниевого карбида.