MSC40SM120JCU2

MOSFET MSC40SM120JCU2 от Microchip

Общее описание: MSC40SM120JCU2 – это мощный n-канальный MOSFET транзистор компании Microchip с максимальным напряжением между стоком и истоком (Vds) в 1200 В и постоянным током стока (Id) до 47 А при 25°C. Этот MOSFET изготовлен с использованием технологии SiC (кремниевого карбида), что обеспечивает высокую эффективность и надежность. Устройство размещено в корпусе SOT-227 (ISOTOP®) и имеет высокую тепловую производительность для монтажа на шасси.

Преимущества:

• Высокое напряжение Vds (1200 В): Обеспечивает возможность работы в цепях высокого напряжения.
• Большая токовая нагрузка: До 47 А постоянного тока при температуре 25°C.
• Технология SiC (Кремниевый Карбид): Обеспечивает более высокую эффективность и надежность по сравнению с традиционными MOSFET на основе кремния.
• Чутьевая мощность и высокая эффективность переключения.
• Корпус SOT-227: Обеспечивает отличное тепловое рассеяние и надежный монтаж.

Недостатки:

• Высокая стоимость: Кремниевые карбидные компоненты могут быть дороже по сравнению с традиционными MOSFET на основе кремния.
• Требуется корректное управление для минимизации потерь на переключение.

Типовое использование:

• Высоковольтные преобразователи.
• Вольтодобавочные каскады.
• Мощные источники питания.
• Преобразователи частоты.
• Индустриальные и энергетические системы.

Рекомендации по применению:

• Обратите внимание на корректную схему развязки для минимизации EMI (электромагнитной интерференции).
• Используйте соответствующие радиаторы и системы охлаждения для эффективного теплоотвода.

Основные технические характеристики:

• Тип MOSFET: n-канальный SiC.
• Напряжение между стоком и истоком (Vdss): 1200 В.
• Постоянный ток стока (Id) @ 25°C: 47 А.
• Сопротивление открытого канала (Rds(on))* @ Id, Vgs: 85 мОм @ 20 А, 20 В.
• Заряд затвора (Qg) @ Vgs: 160 нКл @ 20 В.
• Максимальная мощность рассеивания: 300 Вт.
• Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): +25В, -10В.
• Корпус: SOT-227 (ISOTOP®).
• Температурный диапазон работы: -55°C ~ 150°C.

Возможные аналоги:

• C2M1000170D от Cree Wolfspeed: SiC MOSFET с аналогичными характеристиками.
• SCT3022AL от Rohm Semiconductor: Кремниево-карбидный MOSFET для высоковольтных приложений.

Используя MSC40SM120JCU2, вы получаете мощный и надежный компонент для различных промышленных и энергетических приложений. Это MOSFET отлично подходит для высоковольтных и высокотоковых задач, обеспечивая высокую эффективность и долговечность.