MSC2X51SDA070J

MSC2X51SDA070J от Microchip

Общее описание

MSC2X51SDA070J - это высокоэффективный силовой диодный модуль на основе карбида кремния (SiC) от компании Microchip. Этот компонент предназначен для использования в приложениях, требующих высоких напряжений и токов. Модуль включает два независимых диода с номинальным обратным напряжением (Vr) до 700 В и средним выпрямительным током (Io) до 50 А.

Преимущества

• Высокая эффективность: Технология SiC обеспечивает низкие потери при переключении и высокую эффективность.
• Высокое обратное напряжение: Максимальное обратное напряжение до 700 В делает его подходящим для приложения на высокие напряжения.
• Отсутствие времени восстановления: Благодаря технологии SiC, обратное время восстановления trr отсутствует, что уменьшает потери мощности.
• Широкий диапазон рабочих температур: От -55°C до +175°C, что делает его подходящим для работы в экстремальных условиях.

Недостатки

• Высокая стоимость: Технология SiC может быть дороже по сравнению с традиционными кремниевыми диодами.
• Требования к технике монтажа: Требуют особого подхода при монтаже для обеспечения надёжного соединения и теплоотвода.

Типовое использование

• Инверторы и преобразователи напряжения: Для повышения эффективности и уменьшения потерь при переключении.
• Системы питания высокой мощности: В промышленных и коммерческих приложениях, где требуется высокая надёжность.
• Электротранспорт: В силовых модулях, зарядных станциях и других устройствах для электромобилей.
• Возобновляемая энергия: В системах солнечных панелей и ветрогенерации для повышения эффективности преобразования энергии.

Рекомендации по применению

• Теплоотвод: Используйте качественные решения для отведения тепла, такие как радиаторы или теплопроводные пасты, для поддержания рабочей температуры в допустимом диапазоне.
• Механическая фиксация: Обеспечивайте надежную механическую фиксацию модуля, чтобы избежать вибрационных повреждений.
• Электрическая изоляция: Убедитесь в надежной электрической изоляции между компонентами для предотвращения коротких замыканий.

Основные технические характеристики

• Конфигурация диодов: Два независимых диода
• Технология: SiC (карбид кремния) Шоттки
• Обратное напряжение (Vr), макс: 700 В
• Средний выпрямительный ток (Io), на диод: 50 А
• Прямое напряжение (Vf), макс при If: 1.8 В при 50 А
• Время восстановления (trr): 0 нс
• Ток утечки (Ir) при Vr: 200 µA при 700 В
• Температура перехода (Tj): -55°C ~ 175°C
• Тип монтажа: Корпусное крепление (Chassis Mount)
• Корпус/Кейс: SOT-227-4, miniBLOC
• Пакет поставки: SOT-227 (ISOTOP®)

Возможные аналоги

• C2D05120A от Wolfspeed: SiC Шоттки диод с похожими характеристиками.
• FFSP3065A от ON Semiconductor: Силовой SiC Шоттки диод с 650 В обратного напряжения и 30 А выпрямительного тока.
• C3D10065A от Wolfspeed: Другой вариант SiC Шоттки диода с более высоким обратным напряжением.

MSC2X51SDA070J представляет собой превосходный выбор для приложений, требующих высокой эффективности и надежности при работе с высокими напряжениями и токами.