MSC2X50SDA120J
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
MSC2X50SDA120J от Microchip
Общее описание
MSC2X50SDA120J – это двуполярный силовой диодный модуль на базе карбида кремния (SiC) в корпусе SOT-227-4 (miniBLOC), разработанный компанией Microchip. Данный диодный модуль предназначен для работы в цепях с высокими напряжениями и токами, обеспечивая высокую эффективность и низкие потери.
Преимущества
- Высокое обратное напряжение: Поддерживает напряжение до 1200 В, что делает его идеальным для высоковольтных применений.
- Высокая проводимость: Пропускает ток до 50 А (DC), что позволяет использовать его в мощных системах.
- Минимальные потери: Благодаря технологии карбида кремния (SiC) обеспечивает низкие потери на переключение и проводимость, что повышает общую эффективность системы.
- Низкий уровень тока утечки: При напряжении 1200 В ток утечки составляет менее 200 μA, что снижает паразитные потери и обеспечивает безопасность.
Недостатки
- Высокая стоимость: Компоненты на базе карбида кремния (SiC) обычно дороже по сравнению с традиционными кремниевыми диодами.
- Необходимость теплоотвода: При работе на высоких токах и напряжениях может потребоваться эффективная система охлаждения.
Типовое использование
- Энергетика: Применяется в инверторах солнечных батарей и системах распределения электроэнергии.
- Промышленные приводы: Используется в приводах с регулируемой частотой и двигательных контроллерах.
- Телекоммуникации: Применяется в источниках питания для базовых станций и другого телекоммуникационного оборудования.
Рекомендации по применению
- Охлаждение: Для обеспечения надежной работы при высоких нагрузках рекомендуется использовать радиаторы или активные системы охлаждения.
- Защита: Включайте в схему защиту от перенапряжения и перегрузок для увеличения срока службы компонента.
- Пайка: Следует соблюдать рекомендуемый температурный режим пайки для обеспечения надежного электрического контакта и предотвращения повреждений корпуса.
Основные технические характеристики
- Конфигурация диода: 2 независимых
- Технология: Карбид кремния (SiC) Шоттки
- Максимальное обратное напряжение (Vr): 1200 В
- Средний выпрямленный ток (Io): 50 А (DC)
- Максимальное прямое напряжение (Vf) при If: 1.8 В при 50 А
- Время обратного восстановления: 0 нс
- Ток обратного утечки при Vr: 200 μA при 1200 В
- Температурный диапазон работы: -55°C до 175°C
- Монтажный тип: Крепление на шасси
- Корпус: SOT-227-4 (miniBLOC)
Возможные аналоги
- C3D10060A от Cree
- IDH08G120C5 от Infineon
- FFSP3065A от ON Semiconductor
MSC2X50SDA120J – это высокоэффективный диодный модуль, идеально подходящий для применения в системах с высокими требованиями к мощности и надёжности.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.