MSC2X100SDA070J

MSC2X100SDA070J от Microchip

Общее описание

MSC2X100SDA070J — это мощный диодный модуль на основе технологии карбида кремния (SiC) от компании Microchip. Данный модуль представляет собой массив из двух независимых диодов, каждый из которых обладает максимальным обратным напряжением 700 В и средней выпрямленной токовой нагрузкой 100 А. Корпус выполнен в стандарте SOT-227-4 (miniBLOC), подходящем для монтажа на шасси.

Преимущества

• Высокая эффективность: Использование технологии SiC обеспечивает более высокую эффективность и меньшие потери по сравнению с традиционными диодами из кремния (Si).
• Низкое прямое напряжение (Vf): Максимальное значение 1.8 В при 100 А.
• Отсутствие времени восстановления: Обеспечивает практически мгновенное переключение, что особенно важно в высокочастотных приложениях.
• Широкий диапазон рабочих температур: Подходит для работы в условиях экстрима от -55°C до 175°C.

Недостатки

• Относительно высокая стоимость: SiC-компоненты обычно дороже своих кремниевых аналогов, что может увеличить общую стоимость проекта.
• Требования к монтажу: Поскольку компоненты рассчитаны на шасси-монтаж, это может добавить сложности в проектирование систем охлаждения и теплового управления.

Типовое использование

• Инверторы и преобразователи мощностей
• Электротранспорт и зарядные станции
• Возобновляемые источники энергии, включая солнечные установки и ветряные турбины
• Промышленные силовые блоки

Рекомендации по применению

• Охлаждение: Особое внимание следует уделить эффективному теплоотведению, чтобы обеспечить оптимальную работу модуля.
• Заземление и экранирование: Для предотвращения возможных помех и обеспечения стабильной работы рекомендуется обеспечить надежное заземление и экранирование.
• Защита от перегрузки: Важно предусмотреть защитные схемы для предотвращения перегрузок и повреждений модуля.

Основные технические характеристики

• Напряжение обратное (Vr) (макс): 700 В
• Ток выпрямленный среднемаксимальный (Io, на диод): 100 А
• Прямое напряжение (Vf) (макс) @ If: 1.8 В при 100 А
• Скорость: Нет времени восстановления > 500мА (Io)
• Ток утечки в обратном направлении @ Vr: 400 мкА @ 700 В
• Рабочая температура перехода: от -55°C до 175°C
• Монтаж: Шасси-монтаж
• Корпус: SOT-227-4 (miniBLOC)

Возможные аналоги

• C3D10065A от Cree (Wolfspeed): SiC Шоттки диод, 650 В/100 А.
• APT100S20B от Microsemi: MOSFET на базе карбида кремния, 1000 В/20 А.
• IDH12G65C5 от Infineon: SiC Шоттки диод, 650 В/12 А.

С использованием всех перечисленных преимуществ и рекоменданций MSC2X100SDA070J может легко интегрироваться в проекты, требующие высокоэффективных и надежных силовых диодов.