MSC100SM70JCU3

MSC100SM70JCU3 от Microchip

Общее описание

MSC100SM70JCU3 - это мощный кремниевый карбидный (SiC) MOSFET транзистор от компании Microchip Technology. Этот N-канальный транзистор обладает высокой напряженностной прочностью (700 В) и может выдерживать постоянный ток до 124 А при температуре корпуса (Tc).

Преимущества

• Высокая эффективность и производительность: Благодаря использованию SiC-технологии, MSC100SM70JCU3 обладает низким сопротивлением в открытом состоянии (Rds On), что обеспечивает минимальные потери при переключении.
• Высокая температура работы: Устройство может работать при температурах до 150°C, что позволяет использовать его в требовательных средах.
• Компактный форм-фактор: Корпус SOT-227 (ISOTOP®) предоставляет удобство монтажа и эффективное управление тепловыми характеристиками.

Недостатки

• Высокая стоимость: SiC MOSFET обычно дороже традиционных кремниевых MOSFET из-за более дорогих материалов и сложностей производства.
• Чуткость к статическому электричеству: Необходимость дополнительных мер предосторожности при работе с устройством.

Типовое использование

• Инверторы: Преобразователи и инверторы для солнечных панелей и ветровых установок.
• Электромобили: Контроллеры двигателей, зарядные устройства для аккумуляторов.
• Промышленные силовые системы: Преобразователи частоты, источники бесперебойного питания (ИБП).

Рекомендации по применению

• Правильное охлаждение: Устройство требует эффективного отвода тепла. Рекомендуется установка на радиатор или использование активного охлаждения.
• Защита от перенапряжений: Используйте диоды или другие схемы защиты для предотвращения повреждений от скачков напряжения.
• Обеспечение надлежащего управления: Учитывайте высокую емкость затвора при проектировании драйверов затвора.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный SiC MOSFET
• Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 700 В
• Постоянный ток на стоке (Id): 124 А при 25°C (Tc)
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds On): 19 мОм при 40 А, 20 В
• Заряд затвора (Qg): 215 нКл при 20 В
• Тепловая мощность рассеивания: 365 Вт (Tc)
• Корпус: SOT-227 (ISOTOP®)

Возможные аналоги

• C3M0065090D от Cree/Wolfspeed: 900 В, 39 А SiC MOSFET
• APT40SM120J от Microchip: 1200 В, 40 А SiC MOSFET
• SCT3040KL от ROHM Semiconductor: 900 В, 98 А SiC MOSFET

MSC100SM70JCU3 от Microchip представляет собой высокопроизводительное решение для широкого спектра приложений, требующих высоких напряжений и токов, при этом обеспечивая повышение эффективности и надежности систем.