MSC100SM70JCU2
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
MSC100SM70JCU2 от Microchip
Общее описание
MSC100SM70JCU2 – это мощный кремниевый карбидный MOSFET транзистор (SiCFET) N-канального типа с максимально допустимым напряжением сток-исток 700 В и постоянным током до 124 А. Разработан компанией Microchip, он обладает высокой производительностью и отличной эффективностью.
Преимущества
- Высокое напряжение и ток: 700 В и 124 А позволяют использовать этот MOSFET в demanding high-power applications, где требуется надежность и стабильность.
- Низкое сопротивление открытого состояния (Rds(on)): Максимальное значение 19 мОм снижает потери мощности и повышает общую эффективность системы.
- Широкий диапазон температур: Рабочий температурный диапазон от -55°C до 150°C делает его подходящим для самых различных условий эксплуатации.
- Высокая мощность рассеяния: Максимальная мощность рассеяния 365 Вт позволяет использовать устройство в средах с высокими энергетическими потребностями.
Недостатки
- Высокая стоимость по сравнению с кремниевыми аналогами может быть препятствием для использование в бюджетных проектах.
- Технология управления мощностью может требовать дополнительных схем преобразования и защиты.
Типовое использование
- Инверторы и преобразователи мощности для возобновляемых источников энергии (солнечные и ветровые электростанции).
- Импульсные источники питания для промышленных и бытовых устройств.
- Электроприводы для промышленных механизмов, а также в электротранспорте.
- Медицинское оборудование и высоковольтная аппаратура.
Рекомендации по применению
- Теплоотведение: Важно предусмотреть эффективную систему охлаждения, так как данное устройство имеет высокую мощность рассеяния.
- Защита: Для предотвращения повреждений следует использовать дополнительные схемы защиты от превышения напряжения и тока.
- Стабильное питание: Убедитесь, что питающее напряжение и ток удовлетворяют параметрам устройства для стабильной и надежной работы.
Основные технические характеристики
- Тип FET: N-канальный
- Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
- Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 700 В
- Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 124 А
- Максимальное сопротивление канала (Rds(on)): 19 мОм
- Ток затвора (Qg): 215 нК @ 20 В
- Входная емкость: 4500 пФ @ 700 В
- Температурный диапазон: -55°C ~ 150°C
- Корпус: SOT-227 (ISOTOP®)
Возможные аналоги
- C3M0075120K от CREE: Аналогичный SiCFET с напряжением 1200 В и током 75 А.
- APT60M75JLL от Microsemi: MOSFET с напряжением 600 В и током 75 А.
- STW110N65M5 от STMicroelectronics: MOSFET с напряжением 650 В и током 110 А, с невысокой стоимостью.
Учитывая вышеуказанные преимущества и характеристики, MSC100SM70JCU2 является отличным выбором для высоконадежных и эффективно работающих электронных схем.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.