MSC100SM70JCU2

13 920,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

MSC100SM70JCU2 от Microchip

Общее описание

MSC100SM70JCU2 – это мощный кремниевый карбидный MOSFET транзистор (SiCFET) N-канального типа с максимально допустимым напряжением сток-исток 700 В и постоянным током до 124 А. Разработан компанией Microchip, он обладает высокой производительностью и отличной эффективностью.

Преимущества

  • Высокое напряжение и ток: 700 В и 124 А позволяют использовать этот MOSFET в demanding high-power applications, где требуется надежность и стабильность.
  • Низкое сопротивление открытого состояния (Rds(on)): Максимальное значение 19 мОм снижает потери мощности и повышает общую эффективность системы.
  • Широкий диапазон температур: Рабочий температурный диапазон от -55°C до 150°C делает его подходящим для самых различных условий эксплуатации.
  • Высокая мощность рассеяния: Максимальная мощность рассеяния 365 Вт позволяет использовать устройство в средах с высокими энергетическими потребностями.

Недостатки

  • Высокая стоимость по сравнению с кремниевыми аналогами может быть препятствием для использование в бюджетных проектах.
  • Технология управления мощностью может требовать дополнительных схем преобразования и защиты.

Типовое использование

  • Инверторы и преобразователи мощности для возобновляемых источников энергии (солнечные и ветровые электростанции).
  • Импульсные источники питания для промышленных и бытовых устройств.
  • Электроприводы для промышленных механизмов, а также в электротранспорте.
  • Медицинское оборудование и высоковольтная аппаратура.

Рекомендации по применению

  • Теплоотведение: Важно предусмотреть эффективную систему охлаждения, так как данное устройство имеет высокую мощность рассеяния.
  • Защита: Для предотвращения повреждений следует использовать дополнительные схемы защиты от превышения напряжения и тока.
  • Стабильное питание: Убедитесь, что питающее напряжение и ток удовлетворяют параметрам устройства для стабильной и надежной работы.

Основные технические характеристики

  • Тип FET: N-канальный
  • Технология: SiCFET (Silicon Carbide)
  • Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 700 В
  • Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 124 А
  • Максимальное сопротивление канала (Rds(on)): 19 мОм
  • Ток затвора (Qg): 215 нК @ 20 В
  • Входная емкость: 4500 пФ @ 700 В
  • Температурный диапазон: -55°C ~ 150°C
  • Корпус: SOT-227 (ISOTOP®)

Возможные аналоги

  • C3M0075120K от CREE: Аналогичный SiCFET с напряжением 1200 В и током 75 А.
  • APT60M75JLL от Microsemi: MOSFET с напряжением 600 В и током 75 А.
  • STW110N65M5 от STMicroelectronics: MOSFET с напряжением 650 В и током 110 А, с невысокой стоимостью.

Учитывая вышеуказанные преимущества и характеристики, MSC100SM70JCU2 является отличным выбором для высоконадежных и эффективно работающих электронных схем.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК