MSC080SMA330B4

MSC080SMA330B4 от Microchip

Общее описание

MSC080SMA330B4 – это мощный N-канальный MOSFET на основе технологии кремния с карбидом (SiCFET) с пределом напряжения 3300 В и максимальным постоянным током дренажа 41 А при 25°C. Этот MOSFET представляет собой отличное решение для высоковольтных применений, требующих высокой надежности и эффективности.

Преимущества

• Высокое напряжение d-S (Vdss) в 3300 В: Идеально подходит для приложений с высоким напряжением.
• Низкое сопротивление Rds(on): 105 мОм при Id=30А и Vgs=20В, что уменьшает потери и улучшает эффективность.
• Высокая мощность рассеяния: 381 Вт при Tc, что позволяет использовать MOSFET в приложениях с высокой мощностью.
• Широкий диапазон рабочих температур: от -55°C до 150°C, что обеспечивает стабильную работу в экстремальных температурных условиях.

Типовое использование

• Силовые инверторы
• Высоковольтные преобразователи
• Промышленная и энергетическая техника
• Электротранспорт и зарядные станции
• Системы распределения энергии

Рекомендации по применению

• Тщательно учитывайте тепловые режимы работы компонента, устанавливайте радиаторы или системы охлаждения при необходимости для обеспечения стабильной работы.
• Обеспечьте правильное драйвирование затвора: Используйте подходящий драйвер затвора для эффективного управления MOSFET.
• Защита от перенапряжений: Установка подходящих схем защиты от перенапряжений может продлить срок службы компонента.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канал
• Технология: SiCFET (кремний с карбидом)
• Напряжение d-S (Vdss): 3300 В
• Постоянный ток дренажа (Id) при 25°C: 41 А (Tc)
• Напряжение управляющего затвора (Vgs): до 20 В
• Rds(on) (максимальное): 105 мОм при Id=30А и Vgs=20В
• Заряд затвора (Qg): 55 нК при Vgs=20 В
• Максимальная мощность рассеяния: 381 Вт (Tc)
• Рабочая температура: -55°C ~ 150°C (Tj)
• Корпус/пакет: TO-247-4, сквозное отверстие

Возможные аналоги

• C3M0075120K от Wolfspeed
• FCHK60N65S3 от Fairchild
• STW88N65M5 от STMicroelectronics

MSC080SMA330B4 – надежный и высокоэффективный MOSFET, подходящий для разнообразных высоковольтных приложений. Его широкие эксплуатационные возможности делают его превосходным выбором для индустриальных и энергетических решений.