MSC080SMA120JS15

MOSFET N-канальный MSC080SMA120JS15 от Microchip

Общее описание

MSC080SMA120JS15 — это высокоэффективный N-канальный MOSFET на основе карбида кремния (SiC) от компании Microchip. Он предназначен для работы в средах с высоким напряжением и током, что делает его идеальным выбором для промышленного применения, энергетики и телекоммуникаций.

Преимущества

• Высокое напряжение пробоя: до 1200 В, что позволяет использовать MOSFET в высоковольтных цепях.
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): всего 80 мОм, что уменьшает потери мощности и повышает эффективность.
• Высокая максимальная сила тока: до 15 А, обеспечивая надежное управление мощными нагрузками.
• Выдерживает высокие температуры: рабочая температура до 175 °C позволяет использовать компонент в экстремальных условиях.

Недостатки

• Высокая стоимость: компоненты на основе карбида кремния обычно дороже по сравнению с аналогами из кремния.
• Необходимость специальных драйверов: требуется управление высокими напряжениями для полной реализации преимуществ SiC MOSFET.

Типовое использование

• Инверторы и преобразователи энергии: высокая эффективность и надежность делают его идеальным для использования в преобразователях постоянного и переменного тока.
• Моторные приводы: позволяет снижать потери на переключении и повышать общую производительность систем управления двигателями.
• Системы энергосбережения и возобновляемой энергетики: солнечные панели, ветровые турбины и другие установки, требующие высокой эффективности и надежности.

Рекомендации по применению

1. Адекватное управление: используйте драйверы, способные управлять высокими напряжениями и токами для полной реализации потенциала MOSFET.
2. Теплоотвод: обеспечьте соответствующий теплоотвод, используя радиаторы или другие методы охлаждения.
3. Защита от перенапряжений: установите соответствующие защитные компоненты (например, TVS-диоды) для защиты MOSFET от скачков напряжения.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный
• Технология: Карбид кремния (SiC)
• Максимальное напряжение сток-исток (Vds): 1200 В
• Максимальный ток стока (Id): 15 А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 80 мОм
• Напряжение затвор-исток (Vgs): ±20 В
• Максимальная рассеиваемая мощность (Ptot): 143 Вт
• Рабочая температура (Tj): от -55 °C до +175 °C
• Корпус: SOT-227 (ISOTOP®)

Возможные аналоги

• C2M0025120D от CREE
• APT50GF120B2 от Microsemi
• SCT3060AL от ROHM

MSC080SMA120JS15 — это идеальный выбор для приложений, требующих высокой надежности при использовании в условиях высокого напряжения и тока.