MSC035SMA170S

MSC035SMA170S от Microchip

Общее описание

MSC035SMA170S – это N-канальный MOSFET на основе кремния карбида (SiC) от компании Microchip. Этот полевой транзистор предназначен для приложений, требующих высоких напряжений и токов. Его корпус D3PAK позволяет использовать его в условиях ограниченного пространства.

Преимущества

• Высокое напряжение пробоя: До 1700 В, что позволяет использовать его в высоковольтных приложениях.
• Низкое сопротивление Rds(on): Максимальное значение 45 мОм при 20 В приведения, что снижает энергопотери и увеличивает эффективность.
• Высокая скорость переключения: Быстрая реакция на входные сигналы благодаря низкой зарядке затвора.
• Термостойкость: Рабочий температурный диапазон от -55°C до 175°C, обеспечивающий надежную работу в экстремальных условиях.
• Повышенная мощность рассеивания: До 278 Вт, что делает его подходящим для мощных приложений.

Недостатки

• Стоимость: SiC MOSFET обычно дороже, чем традиционные кремниевые MOSFET.
• Управляющее напряжение: Высокое напряжение управления (до 20 В) может потребовать дополнительных схем для генерации управляющего сигнала.

Типовое использование

• Инверторы: В ветряных и солнечных энергетических системах.
• Преобразователи: В масштабируемых силовых преобразователях и блоках питания.
• Электромобили: В системах управления двигателями и зарядными устройствами.
• Промышленные приводы: Для управления высокомощными электроприводами.

Рекомендации по применению

• Термический дизайн: Обеспечить эффективное охлаждение для поддержания стабильной работы при высоких уровнях мощности.
• Изоляция: Использовать должную изоляцию при работе с высокими напряжениями.
• Управление: Разрабатывать схему управления затвором, которая сможет генерировать необходимое управляющее напряжение.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный SiC MOSFET
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1700 В
• Постоянный ток сток (Id) при 25°C: 59A (Tc)
• Управляющее напряжение (Vgs): +23V, -10V
• Сопротивление (Rds(on)): 45 мОм при 30А, 20В
• Заряд затвора (Qg): 178 нК при 20 В
• Максимальная мощность рассеивания (Pd): 278 Вт
• Корпус: D3PAK (TO-268)

Возможные аналоги

• C3M0120100K от Cree
• SCT3017ALHR от Rohm
• G2R100MT17D от GeneSiC

MSC035SMA170S от Microchip – надежный выбор для высокомощных и высоковольтных приложений, требующих повышения эффективности и надежности.