MSC035SMA170B4

MOSFET MSC035SMA170B4 от Microchip

Общее описание

MSC035SMA170B4 — это высокоэффективный, высоковольтный SiC MOSFET, предназначенный для применения в промышленных и силовых системах. Устройство выполнено в корпусе TO-247-4 и поддерживает максимальное напряжение Drain-Source (Vdss) 1700 В и максимальный ток 68 А при 25°C.

Преимущества

• Высокое напряжение и ток: Поддержка до 1700 В и 68 А, что делает его идеальным для высоковольтных приложений.
• Повышенная эффективность: Использование технологии кремния карбида (SiC) обеспечивает более высокую эффективность и надежность.
• Низкое сопротивление открытого состояния (Rds On): Минимизация потерь мощности благодаря низкому сопротивлению во включенном состоянии — всего 35 мОм.
• Уменьшенное время переключения: Быстрое время переключения улучшает общую производительность цепи.

Недостатки

• Стоимость: Технология SiC может быть дороже по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.
• Управление: Требуется тщательное управление и проектирование драйверов для SiC MOSFET.

Типовое использование

• Промышленные инверторы
• Високовольтные источники питания
• Энергетические системы солнечных батарей
• Устройства для управления двигателями
• Электрические транспортные средства (EV)

Рекомендации по применению

• Теплоотвод: Учитывая высокую мощность рассеивания (до 370 Вт), рекомендуется использование мощного теплоотвода.
• Управление драйвером: Подходит для работы с драйвером, способным выдерживать высокие напряжения и быструю скорость переключения.

Основные технические характеристики

• Тип MOSFET: N-канальный
• Технология: SiC (кремний карбид)
• Максимальное напряжение Drain-Source (Vdss): 1700 В
• Максимальный постоянный ток Drain (Id) при 25°C: 68 А
• Максимальное сопротивление во включенном состоянии (Rds On): 35 мОм @ 30 А, 20 В
• Максимальное напряжение Gate-Source (Vgs): +23 В, -10 В
• Максимальная зарядка Gate (Qg): 178 нК при 20 В
• Максимальная мощность рассеивания (Pd): 370 Вт (Tc)
• Рабочая температура: от -55°C до 175°C
• Корпус: TO-247-4

Возможные аналоги

• C2M1000170D от Wolfspeed
• SCT3160KL от Rohm Semiconductor
• SCT3080ARC11 от ROHM Semiconductor

Этот MOSFET идеально подходит для высокопроизводительных приложений, где требуется высокая эффективность и надежность при работе с высокими напряжениями и токами. Рекомендуется уделить особое внимание выбору драйвера и теплоотвода для оптимальной работы компонента.