MSC035SMA170B от Microchip

Общее описание

MSC035SMA170B — это высоковольтный MOSFET транзистор на базе карбида кремния (SiC), произведенный компанией Microchip. Данный компонент предлагает отличные электрические характеристики, такие как высокая скорость переключения и низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)). Он предназначен для использования в мощных приложениях, где требуется высокая эффективность и способность справляться с высокими напряжениями.

Преимущества

• Высокое напряжение пробоя: 1700 В
• Низкое сопротивление Rds(on): 45 мОм, что обеспечивает минимальные потери мощности
• Высокая максимальная температура соединения: до 175°C
• Высокая скорость переключения: благодаря использованию технологии карбида кремния
• Устойчивость к высокому току: до 68 А в постоянном режиме

Недостатки

• Требует точного управления затвором: высоковольтные MOSFET требуют более строгого контроля для предотвращения повреждений
• Высокая стоимость: по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET

Типовое использование

MSC035SMA170B идеально подходит для применения в следующих областях:

• Оборудование для возобновляемых источников энергии, например, инверторы для солнечных панелей
• Устройства для зарядки электрических транспортных средств
• Высоковольтные преобразователи энергии
• Импульсные источники питания
• Индустриальные инверторы и приводные системы

Рекомендации по применению

• Охлаждение: требуется хорошее теплоотведение для обеспечения работы при максимальных токах и напряжениях
• Управление затвором: рекомендуется использовать драйвер для затвора с низким импедансом, чтобы минимизировать потери при переключении и управлять высокими скоростями переключения
• Монтаж: монтируется через отверстия, что обеспечивает надежное крепление

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный MOSFET
• Технология: Карбид кремния (SiC)
• Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 1700 В
• Максимальный постоянный ток стока (Id) при 25°C: 68 А
• Максимальное сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 45 мОм
• Максимальная температура перехода (Tj): -60°C ~ 175°C
• Максимальная мощность рассеяния: 370 Вт
• Тип корпуса/корпус: TO-247-3
• Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): +23В, -10В
• Максимальный заряд затвора (Qg) при Vgs: 178 нК при 20 В
• Максимальная входная емкость (Ciss): 3300 пФ при 1000 В

Возможные аналоги

• C2M1000170D от Cree
• SCT3080AL от Rohm
• AOK065V170V1 от Alpha & Omega Semiconductor

MSC035SMA170B — это отличный выбор для приложений, требующих высокой эффективности и надежности при работе с высокими напряжениями и токами.