MSC025SMA120J

13 680,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

MSC025SMA120J от Microchip

Общее описание

MSC025SMA120J – это высокопроизводительный N-канальный MOSFET на основе технологии карбида кремния (SiC). Основные преимущества устройства заключаются в отличной термической стабильности, высоком КПД и долговечности. Этот компонент способен работать при высоких напряжениях и токах, что делает его идеальным для использования в мощных приложениях.

Преимущества

  • Высокое напряжение сток-исток (Vds): 1200 Вольт
  • Большой номинальный ток (Id): до 77 Ампер
  • Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds On): 31 миллиОм
  • Широкий температурный диапазон: от -55°C до +175°C
  • Отличная термическая устойчивость и долговечность благодаря технологии SiC

Недостатки

  • Высокая стоимость: компоненты на основе карбида кремния обычно дороже их кремниевых аналогов
  • Сложность в управлении: требуется аккуратное управление затвором для предотвращения повреждения

Типовое использование

  • Высоковольтные преобразователи DC-DC и AC-DC
  • Инверторы мощных солнечных панелей
  • Приводы и контроллеры электрических двигателей
  • Промышленные силовые установки и системы распределения энергии

Рекомендации по применению

  • Используйте качественные радиаторы и системы охлаждения для обеспечения эффективного рассеивания тепла
  • Обратите внимание на параметры управления затвором, чтобы предотвратить избыточные токи и потенциальное повреждение MOSFETа
  • Учитывайте напряжение и ток при проектировании схемы для предотвращения перегрузок

Основные технические характеристики

Параметр Значение
Тип транзистора N-канальный SiC MOSFET
Напряжение сток-исток (Vds) 1200 В
Номинальный ток (Id) 77 А (Tc)
Сопротивление в открытом состоянии (Rds On) 31 миллиОм
Заряд затвора (Qg) 232 нК при 20 В
Входная ёмкость (Ciss) 3020 пФ при 1000 В
Максимальное напряжение затвора (Vgs) +25 В, -10 В
Максимальная рассеиваемая мощность 278 Вт (Tc)
Рабочая температура от -55°C до +175°C
Тип корпуса SOT-227 (ISOTOP®)

Возможные аналоги

  • Wolfspeed C2M0080120D: 1200В, 90А, 80 мОм SiC MOSFET
  • ROHM SCT3022AL: 1200В, 40А, 40 мОм SiC MOSFET
  • Infineon IMZ120R037M1H: 1200В, 20А, 37 мОм SiC MOSFET

Заключение

MSC025SMA120J от Microchip является превосходным выбором для приложений, требующих высокой мощности и эффективности. Технология карбида кремния обеспечивает его долговечность и производительность, делая этот компонент идеальным для промышленного и коммерческого использования.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК