MSC025SMA120B4

9 840,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

MSC025SMA120B4 от Microchip

Общее описание

MSC025SMA120B4 представляет собой полевой транзистор (MOSFET) с кремниевым карбидом (SiCFET) производства компании Microchip. Он является N-канальным транзистором с максимальным напряжением сток-исток (Vdss) 1200 В и максимальным непрерывным током стока (Id) 103 А при 25°C. Этот силовой транзистор характеризуется высокой эффективностью, низкой мощностью потерь и высокой термоэлектрической стойкостью, что делает его идеальным для применения в силовой электронике.

Преимущества

  • Высокий КПД: Минимизация потерь при переключении благодаря технологии SiC.
  • Высокая прочность: Возможность работы при высоких температурах до 175°C.
  • Высокая производительность: Поддержка больших токов (до 103 А) при низком сопротивлении Rds(on).

Недостатки

  • Стоимость: Компоненты на основе карбида кремния могут быть дороже традиционных MOSFET.
  • Сложность разработки: Требуются специализированные драйверы и охлаждение.

Типовое использование

  • Инверторы и преобразователи: Высокая эффективность при преобразовании энергии.
  • Силовые модули: Идеально подходит для мощных источников питания и UPS.
  • Автомобильная электроника: Используется в системах управления электродвигателями и зарядных устройствах.

Рекомендации по применению

  • Охлаждение: Обеспечьте надлежащее охлаждение радиаторами или кулерами для предотвращения перегрева.
  • Драйверы: Используйте высококачественные драйверы для полноценного использования преимуществ SiCFET.
  • Защита: Включайте защиту от перенапряжений и температур для надежной работы.

Основные технические характеристики

  • Тип транзистора: N-канальный MOSFET
  • Технология: Кремний-карбид (SiCFET)
  • Максимальное напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
  • Максимальный непрерывный ток стока (Id): 103 А при 25°C
  • Rds(on) (макс) при Id, Vgs: 31 мОм при 40 А, 20 В
  • Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs): +23 В, -10 В
  • Максимальная рассеиваемая мощность (Pmax): 500 Вт
  • Тип корпуса: TO-247-4
  • Рабочая температура: от -55°C до 175°C

Возможные аналоги

  • C2M0080120D от Wolfspeed
  • SCT3120AL от ROHM
  • SCT1072KR от ROHM

MSC025SMA120B4 от Microchip — это современный высокопроизводительный MOSFET на основе карбида кремния, который обеспечивает высокую эффективность и надежность в условиях высоких нагрузок.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК