MSC025SMA120B

MSC025SMA120B от Microchip

Общее описание

MSC025SMA120B — это мощный силовой транзистор с N-каналом на основе карбида кремния (SiC), предназначенный для работы с высокими напряжениями и токами. Этот MOSFET способен выдерживать напряжение до 1200 В и ток до 103 А при температуре 25°C. Он предлагает отличные характеристики переключения и высокую эффективность благодаря низкому сопротивлению Rds(on).

Преимущества

• Высокое напряжение пробоя (1200 В): Позволяет использовать данный компонент в приложениях с высоким напряжением.
• Высокая стойкость к температурам: Способен работать при температурах до 175°C, что повышает надежность работы в условиях экстремальных температур.
• Низкое сопротивление Rds(on): Обеспечивает уменьшенные потери мощности и повышенную энергоэффективность.
• Быстрое переключение: Улучшается производительность за счёт уменьшенного времени задержки и низкой входной ёмкости.

Недостатки

• Высокая цена: Компоненты на основе карбида кремния обычно стоят дороже по сравнению с традиционными силиконовыми MOSFET'ами.
• Требуется осторожность при управлении: Высокая производительность также подразумевает и высокие требования к качеству драйверов и схемы управления.

Типовое использование

• Инверторы и конверторы: Идеально подходит для приложений в фотовольтаике, ветряной энергии и электромобилях, где требуется высокая производительность и надежность.
• Промышленные источники питания: Его высокая эффективность делает его отличным выбором для использования в мощных источниках питания.
• Медицинское оборудование: За счёт малых потерь и высокой надежности может быть использован в критически важных приложениях.

Рекомендации по применению

• Соответствующие драйверы: Использование драйвера с достаточной мощностью и правильными характеристиками обеспечит оптимальное функционирование MOSFET.
• Эффективное охлаждение: При работе на высоких мощностях внимательно подходите к теплоотведению для поддержания надежности компонента.
• Поддерживать в схеме защиту от переросшихся напряжений и токов: Использование дополнительных защитных схем позволит удлинить срок службы компонента.

Основные технические характеристики

• Тип канала: N-Channel
• Технология: Карбид кремния (SiC)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
• Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 103 А
• Напряжение затвор-исток (Vgs): +25В, -10В
• Сопротивление Rds(on) (макс) при Id, Vgs: 31 мОм при 40А, 20В
• Переходная ёмкость (Ciss) при Vds: 3020 пФ при 1000В
• Параметры упаковки: TO-247-3

Возможные аналоги

• C3M0012120D от Wolfspeed
• SCT2080KE от ROHM Semiconductor

Пожалуйста, свяжитесь с нами для получения более подробной информации или помощи в выборе аналогов, соответствующих вашим требованиям.