MSC017SMA120B от Microchip

Общее описание

MSC017SMA120B — это MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) n-канального типа, разработанный компанией Microchip. Данный компонент изготовлен по технологии SiC (Silicon Carbide), что обеспечивает высокое напряжение пробоя и высокую производительность при низких потерях. Этот MOSFET оптимально подходит для приложений, требующих высокой надежности и эффективности.

Преимущества

• Высокое напряжение пробоя: 1200V, что позволяет использовать данный компонент в высоковольтных приложениях.
• Высокая пропускная способность: способен выдерживать постоянный ток до 113A, что делает его пригодным для использования в мощных системах.
• Низкие потери на переключение: благодаря низкому сопротивлению в открытом состоянии (Rds On) и быстрому времени переключения.
• Высокая термостабильность: и широкий диапазон рабочих температур (-55°C до +175°C), что обеспечивает надежную работу в экстремальных условиях.

Недостатки

• Стоимость: компоненты на основе SiC технологий могут быть дороже традиционных кремниевых MOSFET.
• Требования к схеме управления: для полного раскрытия потенциала SiC MOSFET может потребоваться более сложное управление по сравнению с традиционными MOSFET.

Типовое использование

MSC017SMA120B находит своё применение в самых различных областях, включая:

• Инверторы для возобновляемых источников энергии (солнечные и ветровые электростанции)
• Электромобили и зарядные устройства для них
• Высоковольтные источники питания и системы PFC (Power Factor Correction)
• Индустриальные электродвигатели и различные промышленные установки

Рекомендации по применению

При использовании MSC017SMA120B рекомендуется:

• Учитывать особенности теплового режима и обеспечить надлежащее охлаждение для работы при высоких токах.
• Учесть требования к защитным схемам от перенапряжений и скачков напряжения для долгосрочной надежности.
• Оптимально настроить драйверы для управления MOSFET для минимизации потерь на переключение.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-Channel
• Технология: SiC (Карбид кремния)
• Максимальное напряжение Drain-Source (Vdss): 1200V
• Постоянный ток Drain (Id) при 25°C: 113A
• Максимальное сопротивление в открытом состоянии (Rds On): 17 мОм
• Пороговое напряжение откривания (Vgs(th)): 2.7V при 4.5mA
• Максимальная температура перехода (Tj): от -55°C до 175°C
• Корпус: TO-247-3
• Максимальная мощность рассеивания: 455W

Возможные аналоги

• C2M1000170D от Cree
• SCT3120AL от Rohm Semiconductor
• APT45M80B2LL от Microsemi

Заключение

MSC017SMA120B от Microchip — это высокопроизводительный SiC MOSFET, который предлагает высокую эффективность и надежность для различных высоковольтных приложений. Правильное использование и охлаждение этого компонента позволит вам раскрыть его полный потенциал и обеспечить надежную работу ваших устройств.