MSC017SMA120B4 от Microchip

Общее описание

MSC017SMA120B4 - это высокоэффективный силовой MOSFET транзистор с использованием технологии кремниевого карбида (SiC) от компании Microchip. Транзистор обладает высоким напряжением пробоя (1200 В) и низким сопротивлением открытого канала (17 мОм). Этот компонент предназначен для использования в силовых конвертерах, инверторах и других приложений, требующих высокого уровня надежности и эффективности.

Преимущества

• Высокая эффективность: Низкое сопротивление открытого канала и высокое напряжение пробоя обеспечивают высокую эффективность работы.
• Низкие потери на переключение: Технология кремниевого карбида снижает потери на переключение и улучшает тепловую производительность.
• Высокая работа при температуре: Способен работать в широком диапазоне температур до 175°C.
• Долговечность и надежность: Кремниевый карбид обеспечивает высокую устойчивость к износу и надежную работу в тяжелых условиях.

Недостатки

• Стоимость: Кремниевый карбид (SiC) обычно дороже по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.
• Требования к драйверам: Необходимы специальные драйверы для управления SiC транзисторами.

Типовое использование

• Инверторы для солнечных батарей
• Силовые преобразователи
• Электромобили и зарядные устройства
• Системы питания постоянного тока (DC-DC преобразователи)
• Промышленные и коммерческие источники питания

Рекомендации по применению

• Тепловое управление: Обеспечьте надлежащее охлаждение для работы при высоких токах и напряжениях.
• Выбор драйвера: Используйте специальные драйверы, предназначенные для SiC MOSFET, чтобы гарантировать оптимальную производительность и надежность.
• Проблемы с шумом: Учтите возможность электромагнитных помех (EMI) и примите меры по их снижению.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: N-канальный
• Технология: SiCFET (Кремниевый карбид)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 1200 В
• Максимальный непрерывный ток стока (Id): 113А при 25°C
• Рассеиваемая мощность (Pd): 455 Вт при 25°C
• Сопротивление открытого канала (Rds On): 17 мОм
• Заряд управляющего электрода (Qg): 249 нК при 20 В
• Канальное напряжение (Vgs): +22 В, -10 В
• Рабочая температура: от -55°C до 175°C
• Корпус: TO-247-4

Возможные аналоги

• C2M1000170D от Cree
• STPSC12065D от STMicroelectronics
• C3M0075120K от Wolfspeed

Использование MSC017SMA120B4 в силовых приложениях позволит значительно повысить эффективность и надежность вашей системы, а также уменьшить теплопотери и размеры охлаждающих устройств.