MSC015SMA070B4
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
MSC015SMA070B4 от Microchip Technology
Общее описание
MSC015SMA070B4 – это мощный, высокоэффективный N-канальный MOSFET, выполненный на основе карбида кремния (SiC) и предназначенный для различных силовых и высокочастотных приложений. Этот компонент отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой допустимой мощностью рассеивания, что делает его идеальным выбором для использования в мощных источниках питания, инверторах и других силовых преобразователях.
Преимущества
- Высокое напряжение пробоя (700 В): Обеспечивает надежную работу при больших напряжениях.
- Большой постоянный ток стока (до 140 А): Позволяет использовать компонент в мощных приложениях.
- Низкое сопротивление открытого канала (19 мОм): Обеспечивает низкие потери на проводимость.
- Высокая температурная устойчивость (до 175°C): Подходит для работы в суровых температурных условиях.
- Сверхвысокая эффективность: Уменьшение потерь на переключение благодаря использованию SiC технологии.
Недостатки
- Высокая стоимость: Превосходные характеристики компонента и использование передовой технологии SiC могут увеличивать его стоимость по сравнению с традиционными MOSFET-ами.
- Ограниченное применение: Может потребоваться специализированное драйверное оборудование для полного раскрытия потенциала SiC технологии.
Типовое использование
- Импульсные источники питания (SMPS)
- Высокочастотные преобразователи
- Инверторы для солнечных панелей
- Системы управления электродвигателями
- Линейные усилители и блоки питания
Рекомендации по применению
- Охлаждение: Используйте эффективные системы охлаждения (радиаторы, вентиляторы) для обеспечения стабильной работы при максимальных токах.
- Защита от перенапряжения: Установите схемы защиты от скачков напряжения для предотвращения повреждений от переходных процессов.
- Подбор драйверов: Подбор драйверов высокого напряжения для достижения оптимальной производительности при переключении.
Основные технические характеристики
- Тип: N-канальный MOSFET
- Технология: SiCFET (карбид кремния)
- Напряжение сток-исток (Vdss): 700 В
- Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 140 А (Tc)
- Максимальное сопротивление открытого канала (Rds On): 19 мОм при 40 А, 20 В
- Максимальный заряд затвора (Qg): 215 нКл при 20 В
- Максимальная рабочая температура: от -55°C до 175°C (Tj)
- Корпус: TO-247-4
- Максимальная мощность рассеивания: 455 Вт (Tc)
Возможные аналоги
- C3M0075120K от Wolfspeed
- SCT3022AL от Rohm Semiconductor
- APT40M40B2 от Microsemi
Эти аналоги могут иметь схожие характеристики и могут быть использованы в соответствующих приложениях, где требуется высокая эффективность при работе с большими напряжениями и токами.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.