MSC015SMA070B4

8 640,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

MSC015SMA070B4 от Microchip Technology

Общее описание

MSC015SMA070B4 – это мощный, высокоэффективный N-канальный MOSFET, выполненный на основе карбида кремния (SiC) и предназначенный для различных силовых и высокочастотных приложений. Этот компонент отличается низким сопротивлением открытого канала и высокой допустимой мощностью рассеивания, что делает его идеальным выбором для использования в мощных источниках питания, инверторах и других силовых преобразователях.

Преимущества

  • Высокое напряжение пробоя (700 В): Обеспечивает надежную работу при больших напряжениях.
  • Большой постоянный ток стока (до 140 А): Позволяет использовать компонент в мощных приложениях.
  • Низкое сопротивление открытого канала (19 мОм): Обеспечивает низкие потери на проводимость.
  • Высокая температурная устойчивость (до 175°C): Подходит для работы в суровых температурных условиях.
  • Сверхвысокая эффективность: Уменьшение потерь на переключение благодаря использованию SiC технологии.

Недостатки

  • Высокая стоимость: Превосходные характеристики компонента и использование передовой технологии SiC могут увеличивать его стоимость по сравнению с традиционными MOSFET-ами.
  • Ограниченное применение: Может потребоваться специализированное драйверное оборудование для полного раскрытия потенциала SiC технологии.

Типовое использование

  • Импульсные источники питания (SMPS)
  • Высокочастотные преобразователи
  • Инверторы для солнечных панелей
  • Системы управления электродвигателями
  • Линейные усилители и блоки питания

Рекомендации по применению

  • Охлаждение: Используйте эффективные системы охлаждения (радиаторы, вентиляторы) для обеспечения стабильной работы при максимальных токах.
  • Защита от перенапряжения: Установите схемы защиты от скачков напряжения для предотвращения повреждений от переходных процессов.
  • Подбор драйверов: Подбор драйверов высокого напряжения для достижения оптимальной производительности при переключении.

Основные технические характеристики

  • Тип: N-канальный MOSFET
  • Технология: SiCFET (карбид кремния)
  • Напряжение сток-исток (Vdss): 700 В
  • Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 140 А (Tc)
  • Максимальное сопротивление открытого канала (Rds On): 19 мОм при 40 А, 20 В
  • Максимальный заряд затвора (Qg): 215 нКл при 20 В
  • Максимальная рабочая температура: от -55°C до 175°C (Tj)
  • Корпус: TO-247-4
  • Максимальная мощность рассеивания: 455 Вт (Tc)

Возможные аналоги

  • C3M0075120K от Wolfspeed
  • SCT3022AL от Rohm Semiconductor
  • APT40M40B2 от Microsemi

Эти аналоги могут иметь схожие характеристики и могут быть использованы в соответствующих приложениях, где требуется высокая эффективность при работе с большими напряжениями и токами.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК