MSC015SMA070B

MSC015SMA070B от Microchip

Общее описание

MSC015SMA070B – это высокопроизводительный кремниево-карбидный (SiC) полевой транзистор (MOSFET) с каналом типа N, предназначенный для работы при высоких напряжениях и токах. Этот компонент разработан для применения в мощных и эффективных электрических схемах, что делает его идеальным для широкого спектра промышленных и коммерческих приложений.

Преимущества

• Высокое напряжение пробоя: 700 В, что позволяет использовать его в высоковольтных приложениях.
• Большая пропускная способность по току: до 131А при 25°C, что позволяет использовать его в мощных системах.
• Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 19 мОм, что минимизирует потери на проводимость и увеличивает эффективность.
• Высокая помехоустойчивость: стойкость к высокому напряжению и температуре позволяет использовать компонент в экстремальных условиях.
• Низкий заряд затвора (Qg): 215 нКл, что обеспечивает высокую скорость переключения и снижает энергозатраты на управление.

Недостатки

• Стоимость: Кремниево-карбидные компоненты обычно дороже по сравнению с аналогами на базе кремния.
• Необходимость специализированных драйверов: Для полной реализации преимуществ SiC-транзисторов может понадобиться использование специальных драйверов затвора.

Типовое использование

• Силовые инверторы: В системах преобразования энергии, таких как инверторы для солнечных батарей и ветроэнергетических установок.
• Бесперебойные источники питания (ИБП): В источниках питания, требующих высокой надежности и эффективности.
• Высоковольтные резонансные преобразователи: Применяется в индустриальных и медицинских устройствах.
• Автомобильная электроника: В системах электромобилей, в том числе в зарядных устройствах и системах контроля двигателя.

Рекомендации по применению

• Теплоотвод: Рекомендуется использовать эффективное охлаждение для обеспечения стабильной работы при больших мощностях.
• Совместимость с драйверами: Обеспечить использование драйверов затвора, совместимых с SiC-транзисторами.
• Защита от ЕМП: Использовать дополнительные меры защиты от электромагнитных помех, особенно в критически важных приложениях.

Основные технические характеристики

• Тип транзистора: Канал N
• Технология: Кремниево-карбидный (SiC)
• Напряжение сток-исток (Vdss): 700 В
• Постоянный ток стока (Id) при 25°C: 131А
• Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): 19 мОм
• Максимальное входное напряжение (Vgs): +25 В, -10 В
• Заряд затвора (Qg): 215 нКл при 20В
• Максимальная мощность рассеивания: 400 Вт
• Рабочая температура: -55°C до +175°C
• Корпус: TO-247-3

Возможные аналоги

• C3M0075120D от Cree (Wolfspeed): SiC MOSFET с аналогичными характеристиками.
• SCT3160KL от Rohm: Альтернативное решение с похожими параметрами.

Использование MSC015SMA070B от Microchip позволяет достичь высокой эффективности и надежности в различных приложениях благодаря передовой технологии кремниево-карбидных MOSFET.