MRFX600GSR5

MRFX600GSR5 от NXP Semiconductors

Общее описание

MRFX600GSR5 - это широкополосный RF MOSFET LDMOS-транзистор от компании NXP Semiconductors, предназначенный для высокочастотных (RF) приложений. Он способен обеспечивать мощность до 600 Вт при непрерывной волне (CW) на частотах от 1.8 до 400 МГц при рабочем напряжении 65 В.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: До 600 Вт CW, что делает этот продукт отличным выбором для мощных передатчиков.
• Широкий частотный диапазон: От 1.8 до 400 МГц, что обеспечивает гибкость в различных RF приложениях.
• Низкие уровни гармоник и IMD: Повышенное качество сигнала и снижение необходимости в дополнительной фильтрации.
• Повышенная надежность: Благодаря использованию технологии LDMOS, повышается долговечность и стойкость к перегрузкам.

Недостатки

• Высокое рабочее напряжение: Требуется надежный источник питания с выходным напряжением 65 В.
• Сложность в теплоотводе: На высоких мощностях необходимо учитывать адекватное охлаждение.

Типовое использование

• Базовые станции радиосвязи: Особенно в диапазонах HF и VHF.
• Мощные передатчики и усилители мощности: Применение в промышленных, научных и медицинских RF источниках.
• Военные и профессиональные радиосистемы: Высокая надежность и мощность соответствуют строгим требованиям данных систем.

Рекомендации по применению

• Охлаждение: Установите радиаторы или системы принудительного охлаждения для предотвращения перегрева.
• Фильтрация питания: Используйте стабилизированные блоки питания и фильтры для исключения паразитных сигналов.
• Импедансное согласование: Точность согласования импедансов входа и выхода для максимально эффективной передачи мощности.

Основные технические характеристики

• Технология: LDMOS (двойная)
• Конфигурация: 2 N-канальных
• Частотный диапазон: от 1.8 МГц до 400 МГц
• Коэффициент усиления (при 65 В): 26.4 дБ
• Рабочее напряжение: 65 В
• Ток (при тестировании): 100 мА
• Максимальная выходная мощность: 600 Вт
• Корпус: NI-780GS-4L
• Рабочее напряжение: 179 В

Возможные аналоги

• BLF2425M9LS250P от NXP Semiconductors: Подходит для высокочастотных приложений с выходной мощностью до 250 Вт.
• MRF6VP11KH от NXP Semiconductors: Обеспечивает выходную мощность до 1100 Вт при рабочем напряжении 50 В.

MRFX600GSR5 - это мощное решение для высокочастотных радиочастотных приложений, требующих большой мощности и надежности.