MRFE6VP6600NR3

21 360,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Sure! Here's a detailed description for the MRFE6VP6600NR3 from NXP:


MRFE6VP6600NR3 от NXP

Общее описание

MRFE6VP6600NR3 - это высокочастотный MOSFET транзистор, разработанный NXP для работы в диапазоне частот до 230 МГц. Он выполнен по технологии LDMOS и предназначен для использования в приложениях с высокой выходной мощностью, таких как базовые станции мобильной связи, усилители мощности и радиочастотные передатчики.

Преимущества
  • Высокая выходная мощность: обеспечивает до 600 Вт выходной мощности, что делает его идеальным для применения в мощных радиочастотных системах.
  • Высокая усиление: коэффициент усиления составляет 24.7 дБ, что позволяет эффективно усиливать сигнал.
  • Надежность и долговечность: внешние контейнеры OM-780-4L обеспечивают надежное крепление и тепловое рассеивание.
  • Стабильность работы: низкие параметры шума и отличная линейность обеспечивают стабильную работу в требовательных условиях.
Недостатки
  • Требование к охлаждению: из-за высокой выходной мощности необходима эффективная система охлаждения.
  • Сложность работы с SMT: данный компонент требует опытных навыков пайки и пост-производственной обработки.
Типовое использование
  • Базовые станции мобильной связи
  • Радиочастотные усилители мощности
  • Радиопередатчики
  • Радиолокационные системы
Рекомендации по применению
  1. Тепловое управление: используйте эффективные радиаторы и термопасту для обеспечения оптимального теплового рассеивания.
  2. Калибровка питающего напряжения: для обеспечения стабильной работы и предотвращения повреждений, следует обеспечить точное напряжение питания.
  3. Экранирование: при работе на высоких частотах следует использовать экранированные корпуса и кабели для предотвращения электромагнитных помех.
Основные технические характеристики
  • Технология: LDMOS
  • Конфигурация: Двойной транзистор
  • Частота: до 230 МГц
  • Коэффициент усиления: 24.7 дБ
  • Напряжение теста: 50 В
  • Ток теста: 100 мА
  • Выходная мощность: 600 Вт
  • Максимальное напряжение: 133 В
  • Тип монтажа: Поверхностный монтаж (Surface Mount)
  • Корпус / Пакет: OM-780-4L
Возможные аналоги
  • MRF186: от NXP, предлагает аналогичные характеристики в меньшем корпусе.
  • BLF188XR: от Ampleon, сходные эксплуатационные показатели с уровнем усиления 24 дБ и выходной мощностью 500 Вт.
  • MRF151G: от NXP, предлагается для схожих применений с немного меньшей мощностью.

Надеюсь, это описание окажется полезным для вашего интернет-магазина!

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК