MRFE6VP61K25HR6

MRFE6VP61K25HR6 от NXP

Общее описание

MRFE6VP61K25HR6 — это высокомощный транзистор, созданный на базе LDMOS технологии (Laterally Diffused Metal-Oxide Semiconductor) от компании NXP. Он предназначен для использования в радиочастотных (RF) приложениях и обеспечивает отличные характеристики производительности при низкой теплопроводности. Транзистор способен выдерживать высокие напряжения и токи, что делает его подходящим для применения в различных усилительных и передающих устройствах.

Преимущества

• Высокая мощность: Выходная мощность до 1250 Вт позволяет использовать данный транзистор в мощных радиопередатчиках.
• Увеличенный коэффициент усиления: Коэффициент усиления 24 дБ при частоте 230 МГц гарантирует отличное усиление сигнала.
• Надежность: LDMOS технология обеспечивает высокую степень надежности и долговечности.
• Высокое напряжение и ток: Максимальное напряжение 133 В и рабочий ток до 100 мА делают этот транзистор универсальным решением для разных приложений.

Недостатки

• Стоимость: Высокая производительность и надежность могут сопровождаться высокой стоимостью.
• Требования к охлаждению: Высокая мощность требует эффективного охлаждения, что может сложнее организовать и увеличить общую стоимость системы.

Типовое использование

• Базовые станции: Основное применение в телекоммуникационных системах для базовых станций.
• Радиопередатчики: Используется в мощных передающих устройствах для радиовещания.
• Усилители мощности: Применяется в различных RF усилителях для усиления сигнала.

Рекомендации по применению

• Эффективное охлаждение: Обеспечить адекватное охлаждение для поддержания оптимальной работы и долговечности устройства.
• Тщательное проектирование цепи: Учесть требования по напряжению и току при проектировании схемы, чтобы избежать перегрузок.
• Защита от перенапряжения: Использовать защитные схемы для защиты транзистора от возможных перенапряжений.

Основные технические характеристики

• Технология: LDMOS
• Конфигурация: Двойной
• Частота: 230 МГц
• Коэффициент усиления: 24 дБ
• Тестовое напряжение: 50 В
• Рабочий ток: 100 мА
• Выходная мощность: 1250 Вт
• Максимальное напряжение: 133 В
• Тип монтажа: Шасси
• Корпус: NI-1230

Возможные аналоги

• MRFE6VP61K25H: от NXP с похожими характеристиками, но возможность выбора различных диапазонов частот.
• BLF188XR: от Ampleon, высокочастотный транзистор с мощностью до 1400 Вт.
• MRFE6VP5150H: от NXP с похожими характеристиками, немного более низкая выходная мощность.

MRFE6VP61K25HR6 — это надежный и мощный компонент для ваших RF приложений, обеспечивающий высокую производительность и долговечность.