MRFE6VP61K25HR5

RF-транзистор MOSFET LDMOS MRFE6VP61K25HR5 от NXP

Общее описание

MRFE6VP61K25HR5 - это мощный RF-транзистор на базе технологии LDMOS от компании NXP, разработанный для использования в высокочастотных применениях. Этот компонент предоставляет выдающуюся мощность и линейность на частотах до 230 МГц, что делает его идеальным выбором для профессиональных радиочастотных приложений.

Преимущества

• Высокая мощность: Выходная мощность составляет до 1250 Вт.
• Низкое тепловыделение: Благодаря рассеиванию тепла, обеспечивающее оптимальное управление температурой.
• Высокая линейность: Гарантирует стабильные характеристики даже на максимальных уровнях мощности.
• Качество: Низкое значение коэффициента шума и высокая надежность.

Недостатки

• Сложность монтажа: Требуется специализированное оборудование для установки.
• Габариты: Более крупный корпус требует больше пространства на плате.

Типовое использование

• Усилитель мощности радиопередатчика
• Базовые станции мобильной связи
• Радарные системы
• Профессиональные преобразователи

Рекомендации по применению

• Убедитесь, что система охлаждения готова справляться с тепловыми нагрузками.
• Питание не должно превышать рекомендованные 50 В, чтобы избежать повреждения компонента.
• Монтаж должен проводиться в чистых условиях для предотвращения попадания загрязнений.

Основные технические характеристики

• Конфигурация: Двойной транзистор
• Частота: До 230 МГц
• Коэффициент усиления: 24 дБ
• Входное рабочее напряжение: 50 В
• Выходная мощность: 1250 Вт
• Корпус: NI-1230, предназначен для монтажа на шасси

Возможные аналоги

• MRF6VP2600H, от того же производителя NXP, предлагает схожие характеристики для различных применений.
• BLF188XR от Ampleon для высокочастотных приложений с аналогичной мощностью.

Заключение

Транзистор MRFE6VP61K25HR5 - это надежный и мощный компонент для профессиональных и промышленных высокочастотных применений. Выбирая его, вы получаете высокую производительность, отличное качество и долговечность.