MRFE6VP5600HSR5

44 640,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

MRFE6VP5600HSR5 от NXP Semiconductors

Общее описание

MRFE6VP5600HSR5 - это высокоэффективный MOSFET транзистор LDMOS, предназначенный для использования в радиочастотных (RF) приложениях. Этот компонент разработан для работы в диапазоне частот от 1.8 МГц до 600 МГц, обеспечивая высокую выходную мощность и стабильные параметры работы, что делает его отличным выбором для мощных RF передатчиков и усилителей.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: До 600 Вт, что позволяет использовать данный MOSFET в мощных RF усилителях.
  • Широкий диапазон частот: Подходит для множества RF приложений благодаря рабочему диапазону от 1.8 МГц до 600 МГц.
  • Высокая линейность и эффективность: Обеспечивает качественную передачу сигнала с минимальными искажениями.
  • Долговечность: Надежность и стабильность характеристик при длительной эксплуатации.

Недостатки

  • Стоимость: Более высокую цену по сравнению с аналогами можно считать недостатком для бюджета проектов.
  • Требования к охлаждению: Высокая мощность подразумевает необходимость в эффективном отводе тепла.

Типовое использование

  • Мощные RF усилители: Отлично подходит для усилителей в профессиональных радиостанциях и телекоммуникационных системах.
  • Broadcast передатчики: Используется в телевизионных и радиопередатчиках, где требуется высокая выходная мощность.
  • Базовые станции: Применяется в базовых станциях мобильной связи и других телекоммуникационных инфраструктурах.

Рекомендации по применению

  • Охлаждение: Необходимо обеспечить эффективный теплоотвод для поддержания стабильной работы и продления срока службы компонента.
  • Стабилизация питания: Рекомендуется использовать стабилизированные источники питания для минимизации помех и обеспечения стабильной работы.

Основные технические характеристики

  • Вид транзистора: LDMOS
  • Конфигурация: Два N-канальных транзистора
  • Рабочая частота: от 1.8 МГц до 600 МГц
  • Коэффициент усиления: 25 дБ @ 230 МГц
  • Тестовое напряжение: 50 В
  • Ток тестирования: 100 мА
  • Выходная мощность: 600 Вт
  • Максимальное напряжение: 130 В
  • Расположение: Крепление на шасси
  • Корпус: NI-1230-4S

Возможные аналоги

  • BLF647 от Ampleon: Работает в диапазоне частот от 400 МГц до 1000 МГц с выходной мощностью до 1200 Вт.
  • MRF6V2300NR1 от NXP: Обладает сходными характеристиками, подходит для широкополосных усилителей.
  • PTFC260150M от Wolfspeed: Подобный компонент с рабочим диапазоном до 2700 МГц и мощностью 150 Вт.

MRFE6VP5600HSR5 - это надежное и эффективное решение для высокомощных радиочастотных приложений, обеспечивающее устойчивую и стабильную работу в широком диапазоне частот.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК