MRFE6VP5300GNR1
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
MRFE6VP5300GNR1 от NXP
Общее описание
MRFE6VP5300GNR1 – это мощный радиочастотный MOSFET на основе технологии LDMOS, предназначенный для работы в диапазоне частот от 1.8 МГц до 600 МГц. Устройство обеспечивает высокую выходную мощность до 300 Вт и высокое усиление, что делает его идеальным для использования в промышленных, научных и медицинских (ISM) приложениях, а также в базовых станциях сотовой связи и вещательных передатчиках.
Преимущества
- Высокая выходная мощность: до 300 Вт, что позволяет использовать его в мощных передатчиках.
- Широкий частотный диапазон: от 1.8 МГц до 600 МГц, что обеспечивает гибкость применения.
- Высокое усиление: 27 дБ, что снижает необходимость в дополнительных каскадах усиления.
- Технология LDMOS: обеспечивает высокую надежность и эффективность.
- Удобный монтаж: корпус TO-270 WB-4 Gull облегчает установку на печатную плату.
Недостатки
- Потребность в высоком напряжении питания: требует 50 В для работы.
- Тепловыделение: мощные компоненты требуют хорошего управления теплом и охлаждения.
Типовое использование
- Промышленные, научные и медицинские приложения (ISM).
- Базовые станции сотовой связи.
- Вещательные передатчики.
- Мощные радиопередатчики для аматорских радиостанций.
- Усиление с ВЧ особой мощностью и прочие силовые ВЧ приложения.
Рекомендации по применению
- Охлаждение: Обеспечьте адекватное охлаждение для предотвращения перегрева устройства, что может повредить его или сократить срок службы.
- Защита от перенапряжений: Используйте схемы защиты от перенапряжения для предотвращения повреждения MOSFET.
- Правильный монтаж: Убедитесь, что устройство правильно установлено на плате, чтобы избежать механических повреждений и обеспечить надёжный электрический контакт.
Основные технические характеристики
- Частотный диапазон: 1.8 МГц ~ 600 МГц
- Выходная мощность: 300 Вт
- Усиление: 27 дБ
- Напряжение питания: 50 В
- Ток тестирования: 100 мА
- Корпус: TO-270 WB-4 Gull
- Напряжение пробоя: 133 В
Возможные аналоги
- MRF6VP2600H: MOSFET от NXP с немного меньшей мощностью, но более широким частотным диапазоном.
- BLF573: ВЧ LDMOS транзистор от Ampleon с аналогичными характеристиками.
- PTF10155: ВЧ MOSFET от Infineon для мощных передатчиков.
Используйте компонент MRFE6VP5300GNR1 для создания надежных и высокоэффективных ВЧ схем, учитывая его специфические потребности в охлаждении и напряжении питания.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.