MRFE6VP5300GNR1

16 320,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

MRFE6VP5300GNR1 от NXP

Общее описание

MRFE6VP5300GNR1 – это мощный радиочастотный MOSFET на основе технологии LDMOS, предназначенный для работы в диапазоне частот от 1.8 МГц до 600 МГц. Устройство обеспечивает высокую выходную мощность до 300 Вт и высокое усиление, что делает его идеальным для использования в промышленных, научных и медицинских (ISM) приложениях, а также в базовых станциях сотовой связи и вещательных передатчиках.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: до 300 Вт, что позволяет использовать его в мощных передатчиках.
  • Широкий частотный диапазон: от 1.8 МГц до 600 МГц, что обеспечивает гибкость применения.
  • Высокое усиление: 27 дБ, что снижает необходимость в дополнительных каскадах усиления.
  • Технология LDMOS: обеспечивает высокую надежность и эффективность.
  • Удобный монтаж: корпус TO-270 WB-4 Gull облегчает установку на печатную плату.

Недостатки

  • Потребность в высоком напряжении питания: требует 50 В для работы.
  • Тепловыделение: мощные компоненты требуют хорошего управления теплом и охлаждения.

Типовое использование

  • Промышленные, научные и медицинские приложения (ISM).
  • Базовые станции сотовой связи.
  • Вещательные передатчики.
  • Мощные радиопередатчики для аматорских радиостанций.
  • Усиление с ВЧ особой мощностью и прочие силовые ВЧ приложения.

Рекомендации по применению

  • Охлаждение: Обеспечьте адекватное охлаждение для предотвращения перегрева устройства, что может повредить его или сократить срок службы.
  • Защита от перенапряжений: Используйте схемы защиты от перенапряжения для предотвращения повреждения MOSFET.
  • Правильный монтаж: Убедитесь, что устройство правильно установлено на плате, чтобы избежать механических повреждений и обеспечить надёжный электрический контакт.

Основные технические характеристики

  • Частотный диапазон: 1.8 МГц ~ 600 МГц
  • Выходная мощность: 300 Вт
  • Усиление: 27 дБ
  • Напряжение питания: 50 В
  • Ток тестирования: 100 мА
  • Корпус: TO-270 WB-4 Gull
  • Напряжение пробоя: 133 В

Возможные аналоги

  • MRF6VP2600H: MOSFET от NXP с немного меньшей мощностью, но более широким частотным диапазоном.
  • BLF573: ВЧ LDMOS транзистор от Ampleon с аналогичными характеристиками.
  • PTF10155: ВЧ MOSFET от Infineon для мощных передатчиков.

Используйте компонент MRFE6VP5300GNR1 для создания надежных и высокоэффективных ВЧ схем, учитывая его специфические потребности в охлаждении и напряжении питания.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК