MRFE6S9060NR1

MRFE6S9060NR1 от NXP

Общее описание

MRFE6S9060NR1 – это высокочастотный MOSFET транзистор на базе технологии LDMOS, разработанный компанией NXP. Устройство работает на частотах до 960 МГц и подходит для широкого спектра приложений, включая базовые станции и усилители мощности.

Преимущества

• Высокая эффективность: Позволяет снизить энергопотребление и тепловыделение.
• Высокая линейность: Обеспечивает высокое качество сигнала.
• Широкий частотный диапазон: Подходит для работы в диапазонах до 960 МГц.
• Отличная термостойкость: Имеет высокую надежность при повышенных нагрузках.

Недостатки

• Высокая стоимость: Может быть дороже аналогичных компонентов других производителей.
• Сложность в монтаже: Требуются специальные инструменты и навыки для правильного монтажа.

Типовое использование

• Усилители мощности: В базовых станциях и других телекоммуникационных системах.
• Радиочастотные усилители: Для различных промышленных и коммерческих радиочастотных систем.
• Медицинское оборудование: В системах медицинской диагностики и терапии.

Рекомендации по применению

• Тепловое управление: Обеспечьте хорошую теплоотдачу, используя радиаторы или активное охлаждение.
• Стабилизация питания: Используйте регуляторы напряжения для обеспечения стабильного питания.
• Электромагнитная совместимость: Внедрите меры по минимизации электромагнитных помех.

Основные технические характеристики

• Частотный диапазон: до 960 МГц
• Выходная мощность: до 60 Вт
• КПД: до 65%
• Питание: 28 В
• Корпус: NI-1230H-4
• Коэффициент усиления: 19.5 дБ (при 960 МГц)
• Ток: 21 А (максимальный)

Возможные аналоги

• MRFE6S9045NR1 от NXP: Аналог с меньшей выходной мощностью.
• BLF6G20-110 от Ampleon: Высокочастотный транзистор с аналогичным частотным диапазоном.
• PTFC240201FL от Wolfspeed: Высокочастотный транзистор на базе технологии Сярового карбида (SiC).

Используйте MRFE6S9060NR1 от NXP, чтобы обеспечить высокую эффективность и надежность ваших радиочастотных приложений.