MRF6VP3091NR1
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
MRF6VP3091NR1 от NXP
Общее описание:
MRF6VP3091NR1 — это высокопроизводительный RF MOSFET-транзистор производства NXP Semiconductors, разработанный для использования в области радиочастотной связи. Этот LDMOS транзистор предназначен для усиления высокой мощности и применяется в диапазоне частот от 470 МГц до 1215 МГц.
Преимущества:
- Высокая мощность выхода: Обеспечивает мощность до 90 Вт, что делает его идеальным для мощных радиочастотных передатчиков.
- Широкий частотный диапазон: Подходит для широкого спектра приложений в диапазоне частот от 470 МГц до 1215 МГц.
- Высокий коэффициент усиления: Обеспечивает усиление до 22 дБ, что позволяет добиться значительных улучшений в передаче сигналов.
- Низкие потери: Технология LDMOS обеспечивает высокую эффективность и низкие потери.
Недостатки:
- Устаревший статус: Компонент имеет статус устаревшего, что может затруднить его замену или поиск на рынке.
- Высокие требования к охлаждению: При высокой мощности требует эффективного отвода тепла.
Типовое использование:
- Мобильные и стационарные базовые станции: Идеально подходит для применения в передатчиках базовых станций.
- Радиосвязь: Используется в системах радиосвязи средней и высокой мощности.
- Военные и авиационные системы связи: Применяется в различных системах профессиональной радиосвязи.
Рекомендации по применению:
- Обязательно использовать мощное и эффективное охлаждение для поддержания стабильной работы при высоких уровнях мощности.
- Подключение и монтаж должны выполняться с соблюдением всех рекомендаций производителя для обеспечения максимальной эффективности и надежности.
Основные технические характеристики:
- Технология: LDMOS
- Конфигурация: Дуплексный, общая масса
- Частотный диапазон: 470 МГц – 1215 МГц
- Коэффициент усиления: 22 дБ
- Тестовое напряжение: 50 В
- Ток при тестировании: 450 мА
- Выходная мощность: 90 Вт
- Номинальное напряжение: 115 В
- Монтажный тип: Поверхностный монтаж (SMD)
- Корпус: TO-270WB-4
Возможные аналоги:
- MRF6VP3090NR1: Похожий по параметрам RF MOSFET транзистор от того же производителя.
- MRF6VP3450NR1: Обладает немного более высокой мощностью выхода и подходящими частотами.
MRF6VP3091NR1 является отличным выбором для применения в области высокочастотной радиосвязи, особенно там, где требуется высокая выходная мощность и стабильная работа в широком диапазоне частот.
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.