MRF6VP3091NR1

28 800,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

MRF6VP3091NR1 от NXP

Общее описание:

MRF6VP3091NR1 — это высокопроизводительный RF MOSFET-транзистор производства NXP Semiconductors, разработанный для использования в области радиочастотной связи. Этот LDMOS транзистор предназначен для усиления высокой мощности и применяется в диапазоне частот от 470 МГц до 1215 МГц.

Преимущества:

  • Высокая мощность выхода: Обеспечивает мощность до 90 Вт, что делает его идеальным для мощных радиочастотных передатчиков.
  • Широкий частотный диапазон: Подходит для широкого спектра приложений в диапазоне частот от 470 МГц до 1215 МГц.
  • Высокий коэффициент усиления: Обеспечивает усиление до 22 дБ, что позволяет добиться значительных улучшений в передаче сигналов.
  • Низкие потери: Технология LDMOS обеспечивает высокую эффективность и низкие потери.

Недостатки:

  • Устаревший статус: Компонент имеет статус устаревшего, что может затруднить его замену или поиск на рынке.
  • Высокие требования к охлаждению: При высокой мощности требует эффективного отвода тепла.

Типовое использование:

  • Мобильные и стационарные базовые станции: Идеально подходит для применения в передатчиках базовых станций.
  • Радиосвязь: Используется в системах радиосвязи средней и высокой мощности.
  • Военные и авиационные системы связи: Применяется в различных системах профессиональной радиосвязи.

Рекомендации по применению:

  • Обязательно использовать мощное и эффективное охлаждение для поддержания стабильной работы при высоких уровнях мощности.
  • Подключение и монтаж должны выполняться с соблюдением всех рекомендаций производителя для обеспечения максимальной эффективности и надежности.

Основные технические характеристики:

  • Технология: LDMOS
  • Конфигурация: Дуплексный, общая масса
  • Частотный диапазон: 470 МГц – 1215 МГц
  • Коэффициент усиления: 22 дБ
  • Тестовое напряжение: 50 В
  • Ток при тестировании: 450 мА
  • Выходная мощность: 90 Вт
  • Номинальное напряжение: 115 В
  • Монтажный тип: Поверхностный монтаж (SMD)
  • Корпус: TO-270WB-4

Возможные аналоги:

  • MRF6VP3090NR1: Похожий по параметрам RF MOSFET транзистор от того же производителя.
  • MRF6VP3450NR1: Обладает немного более высокой мощностью выхода и подходящими частотами.

MRF6VP3091NR1 является отличным выбором для применения в области высокочастотной радиосвязи, особенно там, где требуется высокая выходная мощность и стабильная работа в широком диапазоне частот.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК