MRF6VP2600HR5

73 920,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

MRF6VP2600HR5 от NXP

Общее описание

MRF6VP2600HR5 — это высокоэффективный полевой транзистор (MOSFET) на основе технологии LDMOS, разработанный для использования в высокочастотных приложениях. Он может работать на частотах до 600 МГц и обеспечивает выходную мощность до 600 Вт, что делает его отличным выбором для радиочастотных (RF) усилителей в базовых станциях, телекоммуникационных системах и других приложениях с высокой потребностью в мощности.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: Обеспечивает до 600 Вт выходной мощности, что делает его идеальным для использования в мощных RF-приложениях.
  • Высокая эффективность: Предоставляет значительные уровни усиления при оптимальном уровне энергопотребления.
  • Устойчивость к перегрузкам: Высокая устойчивость к перенапряжениям и другим нарушениям в работе.
  • Низкие тепловые потери: Обеспечивает минимальную генерацию тепла, что повышает устойчивость и долговечность устройства.

Недостатки

  • Требования к охлаждению: Из-за высокой выходной мощности требует эффективной системы отвода тепла.
  • Специфичность применения: Продукт предназначен для специализированных областей и не подходит для всех типов приложений.

Типовое использование

  • Базовые станции: Используется в усилителях мощности базовых станций мобильных сетей.
  • Телекоммуникационные системы: Идеально подходит для высокочастотных усилителей в телекоммуникационном оборудовании.
  • Промышленные RF-системы: Применяется в различных промышленных приложениях, требующих высокой выходной мощности.

Рекомендации по применению

  • Охлаждение: Обеспечьте надлежащую систему отвода тепла для предотвращения перегрева.
  • Искажения и перегрузки: Постоянный мониторинг работы устройства для предотвращения перегрузок.
  • Модульное тестирование: Проведение тестирования в условиях максимальной нагрузки для обеспечения надежности.

Основные технические характеристики

Характеристика Значение
Частота: До 600 МГц
Выходная мощность: 600 Вт
Рабочее напряжение (Vdd): Обычно 50 В
Коэффициент усиления: 23.8 дБ
Тепловое сопротивление (RθJC): 0.15 °C/Вт
Корпус: NI-1230

Возможные аналоги

  • MRF7S21100HS от NXP: Другой LDMOS транзистор с аналогичными характеристиками.
  • BLF188XR от Ampleon: Высокомощный транзистор, подходящий для аналогичных применений.
  • PTVA042502EV от Qorvo: Экономичная альтернатива с меньшей выходной мощностью.

Используя MRF6VP2600HR5 от NXP, вы получите надежный и эффективный компонент для своих требований в высокочастотных приложениях.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК