MRF6VP11KGSR5

MRF6VP11KGSR5 от NXP

Общее описание

MRF6VP11KGSR5 - это мощный LDMOS транзистор производства NXP Semiconductors, предназначенный для использования в радиочастотных (RF) и микроволновых усилителях. Он обладает высокой выходной мощностью и эффективностью, что делает его идеальным выбором для профессиональных радиопередающих устройств и промышленных приложений.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: Обеспечивает до 1000 Вт при частоте 130 МГц.
• Высокая линейность и стабильность: Позволяет сохранить качество сигнала даже при высоких уровнях мощности.
• Широкий диапазон рабочих частот: От 1,8 МГц до 150 МГц.
• Высокая эффективность: Низкие тепловые потери при высокой мощности.
• Прочный корпус: Повышенная защита и надежность благодаря корпусу типа NI-1230-4S.

Недостатки

• Высокая цена: Из-за своей мощности и характеристик может быть дороже других транзисторов.
• Требовательность к охлаждению: Для работы при высоких мощностях необходимы эффективные системы охлаждения.

Типовое использование

• Радиопередающие устройства
• Базовые станции сотовой связи
• Промышленные RF усилители
• Профессиональные радиостанции
• Мощные передатчики для вещания

Рекомендации по применению

• Конструкция цепи охлаждения: Для эффективной работы при высоких мощностях убедитесь в наличии адекватного охлаждения.
• Настройки смещения: Оптимальные настройки смещения необходимы для достижения максимальной эффективности и линейности.
• Согласование импеданса: Подберите правильные элементы согласования импеданса для минимизации потерь сигнала.
• Используйте качественные компоненты: для достижения наилучших характеристик используйте компоненты с высокой точностью и низкими допусками.

Основные технические характеристики

• Технология: LDMOS (двойной)
• Конфигурация: 2 N-канала
• Частота: 1,8 МГц ~ 150 МГц
• Коэффициент усиления: 26 дБ при 130 МГц
• Напряжение: 50 В
• Ток: 150 мА (тестовый)
• Выходная мощность: 1000 Вт
• Корпус: NI-1230-4S GULL
• Тип монтажа: Монтаж на плате (SMD)

Возможные аналоги

• MRF151G: Похожий RF транзистор, также произведенный NXP, с чуть меньшей выходной мощностью.
• BLF188XR: Высокая выходная мощность, производитель ams AG.
• MRF1K50H: Альтернативный LDMOS транзистор от NXP с аналогичными характеристиками.

Этот транзистор MRF6VP11KGSR5 представляет собой мощный и надежный элемент для ваших радиочастотных приложений, обеспечивая высокую производительность даже в самых требовательных условиях эксплуатации.