MRF6V10010NR4

22 800,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

MRF6V10010NR4 от NXP

Категория: Дискретные полупроводниковые изделия, Транзисторы, МОПФЕТы, РФ МОПФЕТы

Общее описание

MRF6V10010NR4 – это мощный РФ МОПФЕТ (LDMOS), разработанный компанией NXP для использования в радиочастотных приложениях. Этот транзистор обеспечивает выходную мощность до 10 Ватт и работает на частоте до 1,09 ГГц. Компонент предназначен для поверхностного монтажа и поставляется в корпусе PLD-1.5.

Преимущества

  • Высокая мощность: Обеспечивает выходную мощность до 10 Ватт.
  • Широкий диапазон частот: Рабочая частота до 1,09 ГГц.
  • Высокая надежность: Прочный корпус PLD-1.5 и качественная сборка от NXP.
  • Удобство монтажа: Предназначен для поверхностного монтажа (SMD), что облегчает интеграцию в современные схемы.

Недостатки

  • Требует охлаждения: Высокая мощность может требовать дополнительных мер по тепловому управлению.
  • Ограниченный диапазон напряжений: Максимальное напряжение 50 В может быть ограничивающим фактором для некоторых приложений.

Типовое использование

  • Радиопередатчики: Идеален для применения в радиочастотных передатчиках.
  • Усилители мощности: Используется в усилителях мощности в различных радиочастотных системах.
  • Военные приложения: Применяется в оборонных и авиационных электронных системах.

Рекомендации по применению

  • Тепловое управление: Обеспечьте адекватное охлаждение с помощью радиаторов или систем активного охлаждения для предотвращения перегрева.
  • Корректное питание: Убедитесь, что питание не превышает 50 В и составляет не менее 10 мА для оптимального функционирования.
  • Стабильная частота: Поддерживайте рабочую частоту в пределах до 1,09 ГГц для обеспечения наилучшей производительности.

Основные технические характеристики

  • Выходная мощность: до 10 Ватт
  • Частота работы: до 1,09 ГГц
  • Коэффициент усиления: 25 дБ
  • Напряжение: 50 В (тестовое), 100 В (номинальное)
  • Ток: 10 мА (тестовый)
  • Монтаж: Поверхностный монтаж (SMD)
  • Корпус: PLD-1.5

Возможные аналоги

  • MRF6VP5600H: Еще один мощный РФ МОПФЕТ от NXP, с большей выходной мощностью.
  • BLF6G22-45: Альтернативный компонент от Ampleon с похожими характеристиками.

Эти данные помогут понять возможности использования MRF6V10010NR4 в ваших проектах и дадут вам информацию для принятия решения о приобретении данного компонента.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК