MRF6S20010GNR1

10 800,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

MRF6S20010GNR1 от NXP

Общее описание

MRF6S20010GNR1 — это высокочастотный MOSFET транзистор на базе LDMOS технологии, разработанный компанией NXP. Компонент предназначен для использования в усилительных схемах с фиксированной частотой до 2.17 ГГц. Транзистор поставляется в корпусе TO-270-2 GULL и имеет рабочее напряжение 28 В. Мощность на выходе составляет 10 Вт, а усиление достигает 15.5 дБ.

Преимущества

  • Высокая мощность: Выходная мощность 10 Вт позволяет использовать транзистор в мощных усилителях.
  • Высокое усиление: Усиление 15.5 дБ способствует значительному увеличению сигнала.
  • Компактный корпус: Корпус TO-270-2 GULL обеспечивает удобство монтажа на плату.

Недостатки

  • Ограниченная доступность: Статус "Обsolete" означает, что этот компонент уже не производится и может быть трудно доступен.
  • Фиксированная частота: Поддерживает применение только в фиксированных частотах до 2.17 ГГц.

Типовое использование

  • Усилители мощности для радиочастотных приложений
  • Передатчики для базовых станций
  • Усилители для беспроводных систем

Рекомендации по применению

  • Правильный монтаж: Устанавливайте компонент с использованием качественного припоя, чтобы обеспечить надежный контакт.
  • Контроль температуры: Обеспечьте адекватное охлаждение для предотвращения перегрева.
  • Учет напряжения: Поддерживайте рабочее напряжение на уровне 28 В, чтобы избежать повреждений.

Основные технические характеристики

  • Технология: LDMOS
  • Частота: до 2.17 ГГц
  • Усиление: 15.5 дБ
  • Выходная мощность: 10 Вт
  • Рабочее напряжение (тест): 28 В
  • Ток (тест): 130 мА
  • Корпус / Кейс: TO-270-2 GULL
  • Максимальное напряжение: 68 В

Возможные аналоги

  • MRF6S20010G: Аналогичный компонент, отличается типом упаковки
  • BLF7G22LS-140: Высокочастотный LDMOS транзистор с аналогичными характеристиками от другого производителя

Заключение

MRF6S20010GNR1 — это производительный и надежный высокочастотный MOSFET транзистор с хорошим усилением и выходной мощностью, который отлично подходит для использования в радиочастотных усилителях и передатчиках. Однако, ввиду статуса "Obsolete", настоятельно рекомендуется искать аналогичные компоненты для новых проектов.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК