MRF24G300HSR5

MRF24G300HSR5 от NXP

Общее описание

MRF24G300HSR5 – это мощный полевой транзистор (RF MOSFET) на основе нитрида галлия (GaN), разработанный компанией NXP Semiconductors. Он предназначен для использования в радиочастотных (RF) приложениях. Этот транзистор обеспечивает выходную мощность до 300 Вт на частоте от 2400 до 2500 МГц, что делает его идеальным решением для усилителей мощности в телекоммуникационных и радиочастотных системах.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: Обеспечивает до 300 Вт непрерывной мощности (CW).
• Широкий диапазон частот: Оптимизирован для работы на частотах от 2400 до 2500 МГц.
• Высокое усиление: Усиление по мощности составляет 14.5 дБ.
• Эффективность: Повышенная энергетическая эффективность благодаря использованию технологии GaN.

Недостатки

• Высокий уровень нагрева: Необходима адекватная система охлаждения для предотвращения перегрева.
• Высокая стоимость: Транзисторы на основе GaN обычно дороже, чем традиционные силиконовые транзисторы.

Типовое использование

• Мобильные связи: Усилители мощности для базовых станций стандарта 4G и 5G.
• Системы радиосвязи: Передающие устройства для радиосвязи.
• Военные приложения: Радиолокационные системы и другие военные радиочастотные устройства.

Рекомендации по применению

• Система охлаждения: Используйте соответствующий радиатор и активное охлаждение для обеспечения нормальной работы транзистора.
• Правильный монтаж: Тщательно следите за монтажом, чтобы обеспечить надежное электрическое соединение и минимальное термическое сопротивление.
• Защита от статического электричества: Применяйте меры для защиты компонента от электростатических разрядов (ESD).

Основные технические характеристики

• Максимальная выходная мощность: 300 Вт
• Частотный диапазон: 2400 - 2500 МГц
• Напряжение питания: 50 В
• Усиление по мощности: 14.5 дБ
• Коэффициент усиления: Мин. 15.5 дБ
• Эффективность (η): 65%
• Корпус: NI-780S-4L
• Температурный диапазон: -40°C до +150°C (температура перехода)

Возможные аналоги

• BLF888A (NXP): Мощный RF MOSFET на основе LDMOS, работающий на частотах до 2700 МГц.
• MRF151G (NXP): Мощный N-канальный MOSFET для радиочастотных приложений.

Заключение

MRF24G300HSR5 от NXP – это мощный и эффективный транзистор, идеально подходящий для использования в современных радиочастотных приложениях, требующих высокой выходной мощности и надежности. Его применение включает в себя различное телекоммуникационное оборудование, включая базовые станции и радиосистемы.