MRF24G300HS-2UP от NXP

Общее описание

MRF24G300HS-2UP — это широполосный высокочастотный полевой транзистор (RF MOSFET) с высокой мощностью, разработанный для использования в различных радиочастотных приложениях. Он выполнен на основе технологии нитрида галлия (GaN) и способен работать в диапазоне частот от 2.4 ГГц до 2.5 ГГц.

Преимущества

• Высокая выходная мощность (336 Вт), что делает его идеальным для мощных радиочастотных применений.
• Высокая эффективность благодаря технологии GaN, что позволяет минимизировать потери и уменьшить энергопотребление.
• Повышенная надежность и долговечность благодаря устойчивости к высоким напряжениям и токам.
• Компактная конструкция (корпус NI-780S-4L) удобна для монтажа на поверхность (SMD).

Недостатки

• Высокая стоимость по сравнению с традиционными кремниевыми транзисторами.
• Потребуется усовершенствованная система охлаждения для работы при максимальной мощности.

Типовое использование

• Передатчики радиочастотных сигналов в базовых станциях сотовой связи.
• Устройства беспроводной связи (Wi-Fi, WiMAX).
• Вещательные передатчики.
• Высокочастотные усилители мощности.

Рекомендации по применению

• Обеспечьте эффективное охлаждение для предотвращения перегрева и продления срока службы устройства.
• Учитывайте максимально допустимое напряжение и ток, чтобы предотвратить повреждение транзистора и обеспечить его стабильную работу.
• Используйте соответствующие схемы защиты для предотвращения скачков напряжения и токов.

Основные технические характеристики

• Технология: GaN (нитрид галлия)
• Диапазон частот: 2.4 ГГц до 2.5 ГГц
• Коэффициент усиления: 15.3 dB
• Тестовое напряжение: 48 В
• Выходная мощность: 336 Вт
• Корпус: NI-780S-4L
• Максимальное напряжение: 125 В

Возможные аналоги

• MRF24G300HS-1UP от NXP — аналогичный транзистор с другими параметрами корпуса.
• MRF6VP41KH от NXP — другой высокочастотный транзистор, подходящий для характеристик высокой мощности.

Этот мощный широкополосный высокочастотный транзистор идеально подходит для применения в современных системах беспроводной связи, в которых требуется высокая производительность и надежность.