MRF24G300HS-2STG

216 000,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку


Описание

Микросхема MRF24G300HS-2STG от NXP

Общее описание

MRF24G300HS-2STG от NXP – это мощный GaN-усилитель (RF MOSFET) для радиочастотных приложений, работающий в диапазоне частот от 2.4 ГГц до 2.5 ГГц. Данный компонент предназначен для использования в системах, где требуется высокое усиление и выходная мощность.

Преимущества

  • Высокая выходная мощность: до 336 Вт, что позволяет использовать данный компонент в мощных радиочастотных системах.
  • Высокое усиление: 15.3 дБ, что обеспечивает значительное улучшение сигнала.
  • Широкий рабочий диапазон напряжений: компонент функционирует при 48 В, а максимальное напряжение составляет 125 В.
  • Использование технологии GaN: это обеспечивает высокую эффективность и надежность работы.
  • Монтаж на поверхность (Surface Mount): пакет NI-780S-4L удобен для монтажа на печатных платах.

Недостатки

  • Высокое энергопотребление: необходимость высокого рабочего напряжения может вызывать сложности с энергопитанием в мобильных устройствах.
  • Чувствительность к перегреву: требует тщательного управления тепловыми режимами и проектирования эффективного теплоотвода.

Типовое использование

  • Базовые станции для мобильной связи
  • Радиочастотные усилители мощности в системах связи
  • Радарные системы
  • Промышленное оборудование радиочастотной идентификации (RFID)

Рекомендации по применению

  • Обеспечьте надежную тепловую защиту и эффективный теплоотвод.
  • Используйте подходящие элементы питания, обеспечивающие стабильное напряжение 48 В.
  • При проектировании схемы обратите внимание на минимизацию электромагнитных помех.

Основные технические характеристики

  • Тип устройства: RF MOSFET, GaN
  • Рабочая частота: 2.4 ГГц - 2.5 ГГц
  • Коэффициент усиления: 15.3 дБ
  • Выходная мощность: 336 Вт
  • Рабочее напряжение: 48 В
  • Максимальное напряжение: 125 В
  • Корпус: NI-780S-4L (Surface Mount)

Возможные аналоги

  1. MRF24G300HS-1 от NXP – аналог с немного другими параметрами, также предназначен для высокочастотных применений.
  2. CGH40010F от Wolfspeed – другой вариант GaN RF MOSFET для сравнимого диапазона частот и мощностей.
  3. PTF10150 от Qorvo – MOSFET с аналогичными характеристиками для радиочастотных приложений.

MRF24G300HS-2STG от NXP – это надежное решение для мощных радиочастотных систем, которое обеспечивает высокую производительность и улучшенные характеристики усиления.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК