MRF1K50GNR5

MRF1K50GNR5 – NXP

Общее описание

MRF1K50GNR5 – это мощный MOSFET транзистор на основе технологии LDMOS (Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor) от компании NXP, разработанный для работы в диапазоне частот от 1.8 МГц до 500 МГц. Транзистор обеспечивает высокую выходную мощность до 1500 Вт, что делает его отличным выбором для приложений в области радиочастотных (RF) систем.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: Обеспечивает до 1500 Вт выходной мощности, что предоставляет широкие возможности для использования в мощных передатчиках.
• Высокий коэффициент усиления: Транзистор обеспечивает усиление до 23 дБ, что значительно повышает эффективность системы.
• Широкий диапазон рабочих частот: Оптимизирован для работы в диапазоне от 1.8 МГц до 500 МГц, что делает его универсальным для различных приложений.

Недостатки

• Требует эффективного охлаждения: При высокой мощности транзистор выделяет значительное количество тепла, что требует использования эффективных систем охлаждения.
• Высокая стоимость: Из-за своих технических характеристик и возможностей транзистор может быть более дорогим по сравнению с менее мощными аналогами.

Типовое использование

• Радиочастотные передатчики и усилители: MRF1K50GNR5 часто используется в радиочастотных системах, таких как гражданские и военные радиостанции, а также в системах связи.
• Промышленные и научные приложения: Подходит для использования в промышленных процессах и научных исследовательских проектах, требующих значительной выходной мощности.

Рекомендации по применению

• Обеспечьте эффективное отведение тепла, чтобы предотвратить перегрев и выход транзистора из строя.
• Используйте качественные компоненты для монтажа и соединений, чтобы обеспечить надежную работу на максимальной мощности.
• Желательно провести симуляции и тестирования в условиях работы вашего конкретного применения для оптимизации работы транзистора.

Основные технические характеристики

• Технология: LDMOS
• Частотный диапазон: 1.8 МГц ~ 500 МГц
• Коэффициент усиления: 23 дБ
• Рабочее напряжение: 50 В
• Выходная мощность: 1500 Вт
• Монтажный тип: Корпус для монтажа на шасси (Chassis Mount)
• Корпус: OM-1230G-4L

Возможные аналоги

• MRF1K80: Также от NXP, обеспечивает аналогичную мощность, но с немного отличающимися характеристиками.
• MRFE6VP61K25H: Транзистор на более высокую мощность и с отличающимися характеристиками усиления.

MRF1K50GNR5 – это отличный выбор для высокомощных радиочастотных приложений, обеспечивающий надежность и высокую производительность.