MMRF5017HSR5

MMRF5017HSR5 от NXP

Общее описание: MMRF5017HSR5 — это мощный транзистор на основе арсенида галлия (GaAs) с высокой подвижностью электронов (HEMT), предназначенный для использования в приложениях с радиочастотной (RF) мощностью. Этот компонент относится к диапазону частот от 30 МГц до 2200 МГц и обеспечивает выходную мощность до 125 Вт при напряжении питания 50 В. Корпус - NI-400S-2S.

Преимущества:

• Высокая выходная мощность: до 125 Вт
• Широкий диапазон частот: от 30 МГц до 2200 МГц
• Высокий коэффициент усиления: до 18,4 дБ при оптимальных условиях
• Высокая надежность: разработан для использования в экстремальных условиях

Недостатки:

• Устаревшая модель: Статус данной модели — Obsolete (устаревший)
• Повышенные требования к теплоотведению: Требуется эффективное охлаждение для оптимальной работы

Типовое использование:

• Радиочастотные усилители мощности
• Телекоммуникационные системы
• Беспроводные системы передачи данных
• Оборудование для вещания

Рекомендации по применению:

1. Эффективное охлаждение: Используйте радиаторы и системы охлаждения для предотвращения перегрева.
2. Защита от перегрузок: Внедрите защитные схемы для предотвращения выхода из строя при превышении допустимых параметров.
3. Соблюдение рекомендаций: Следуйте рекомендациям по размещению на печатных платах для минимизации паразитных индуктивностей и емкостей.

Основные технические характеристики:

• Технология: HEMT (арсенид галлия)
• Диапазон частот: 30 МГц ~ 2200 МГц
• Коэффициент усиления: до 18,4 дБ
• Напряжение питания (тест): 50 В
• Ток (тест): 200 мА
• Выходная мощность: до 125 Вт
• Корпус: NI-400S-2S
• Максимальное напряжение: 150 В

Возможные аналоги:

• MRF151G от Motorola
• MRF6V2300N от Freescale Semiconductor
• BLS6G2735-130 от Ampleon

Замечания: Поскольку MMRF5017HSR5 имеет статус "устаревший", перед его использованием рекомендуется рассмотреть аналоги или новейшие версии компонентов с улучшенными характеристиками и поддержкой.