MMRF1312HSR5

MMRF1312HSR5 - NXP

Общее описание

MMRF1312HSR5 – это мощный высокочастотный LDMOS транзистор, разработанный компанией NXP для работы в диапазоне частот до 1,034 ГГц. Этот транзистор создан для применения в радиочастотных усилителях, обеспечивая высокую выходную мощность и надежность. Устройство поставляется в корпусе NI-1230-4S, который обеспечивает хорошее тепловое управление и упрощенное крепление на шасси.

Преимущества

• Высокая выходная мощность: Обеспечивает мощность до 1000 Вт, что идеально подходит для высокомощных радиочастотных приложений.
• Высокий коэффициент усиления: 19.6 дБ, что позволяет усилителям достигать высокой производительности при теплораспределении.
• Низкое тепловыделение: Конструкция корпуса NI-1230-4S помогает эффективно управлять теплом.
• Надежность и долговечность: Проектирован для работы в сложных условиях, поддерживает напряжение до 112 В.

Недостатки

• Требует качественного охлаждения: Для оптимальной работы необходимо обеспечить эффективное тепловыделение.
• Высокая цена: Высокомощные компоненты часто имеют относительно высокую стоимость.

Типовое использование

• Радиочастотные усилители мощности: Подходит для применения в базовых станциях сотовой связи и других системах беспроводной связи.
• Передающие устройства: Используется в передатчиках радиочастотных сигналов в различных диапазонах частот.
• Вещательные станции: Применяется в высокомощных передатчиках для радио- и телевещания.

Рекомендации по применению

• Охлаждение: Основное внимание должно быть уделено тепловому управлению. Рекомендуется использование радиаторов и активного охлаждения.
• Контроль рабочих параметров: Проводите регулярный мониторинг параметров, таких как температура и ток, для предотвращения перегрева.
• Стабильное напряжение питания: Обеспечьте стабильное напряжение питания во избежание повреждений компонентов.

Основные технические характеристики

• Частота: до 1,034 ГГц
• Коэффициент усиления: 19.6 дБ
• Выходная мощность: до 1000 Вт
• Напряжение тестирования: 50 В
• Номинальное напряжение: 112 В
• Корпус: NI-1230-4S
• Тип монтажа: На шасси

Возможные аналоги

• MRFE6VP61K25H: Возможная альтернатива с аналогичными характеристиками.
• MRF1K50H: Мощный транзистор с расширенными частотными диапазонами.
• BLF188XR: Транзистор с высокой мощностью для широкого ряда приложений.

MMRF1312HSR5 предоставляет превосходную производительность для высокочастотных приложений, делая его идеальным выбором для инженеров, работающих над созданием мощных усилителей и передатчиков.