MMRF1312HR5

130 320,00 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

NXP MMRF1312HR5

Общее описание

MMRF1312HR5 - это высокомощный LDMOS транзистор (MOSFET), разработанный компанией NXP для использования в радиочастотных (RF) усилителях. Этот компонент обладает высоким коэффициентом усиления, рассчитан на работу в диапазоне частот до 1.03 ГГц и способен выдерживать напряжение до 50 В.

Преимущества

  • Высокая мощность: обеспечивает выходную мощность до 1000 Вт.
  • Высокий коэффициент усиления: 19.6 дБ, что позволяет снизить количество каскадов усиления.
  • Надежность и долговечность: соответствует стандартам индустрии и обеспечивает долгосрочную стабильность при различных режимах работы.
  • Широкий диапазон напряжений: может работать при тестовом напряжении до 50 В.

Недостатки

  • Тепловыделение: высокомощные транзисторы требуют эффективного охлаждения, что может усложнить конструкцию устройства.
  • Чувствительность к условиям эксплуатации: важно внимательно отслеживать рабочие параметры, чтобы избежать перегрузок и перегрева.

Типовое использование

  • Радиочастотные (RF) усилители: для применения в телекоммуникациях, радиопередачах и военных системах связи.
  • Базовые станции мобильной связи: для передачи мощных RF сигналов.
  • Медицинское оборудование: для RF-усилителей в применении медицинских устройств.

Рекомендации по применению

  • Эффективное охлаждение: используйте соответствующие радиаторы и системы охлаждения для предотвращения перегрева.
  • Тестирование: перед внедрением в финальные изделия проводите тщательное тестирование при реальных условиях эксплуатации.
  • Защита от перегрузок: дополните схему защитой от перегрузок по току и напряжению.

Основные технические характеристики

  • Технология: LDMOS
  • Конфигурация: Двойной транзистор
  • Рабочая частота: до 1.03 ГГц
  • Коэффициент усиления: 19.6 дБ
  • Тестовое напряжение: 50 В
  • Тестовый ток: 100 мА
  • Выходная мощность: до 1000 Вт
  • Рейтинговое напряжение: 112 В
  • Тип монтажа: На шасси
  • Корпус: SOT-979A
  • Упаковка устройства: NI-1230-4H

Возможные аналоги

  • MRF1570R5 от NXP: также LDMOS транзистор с аналогичными характеристиками, но другой частотный диапазон.
  • BLF578XR от Ampleon: мощный LDMOS транзистор для высокочастотных приложений.
  • MRFX1K80H от NXP: еще один высокомощный LDMOS транзистор с улучшенными характеристиками энергоэффективности.

Использование MMRF1312HR5 в ваших проектах позволит достичь высоких показателей надежности и эффективности при работе с радиочастотными сигналами.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК