LMG5200MOFR
Этот товар недоступен в выбранной валюте.
в наличии (удаленный склад)
В оформлении на заказ
Нет в наличии
Описание
Микросхема LMG5200MOFR от Texas Instruments
Общее описание
LMG5200MOFR — это интегрированный полумостовой драйвер, разработанный на основе передовой технологии Gallium Nitride (GaN) FETs. Устройство включает в себя два высокопроизводительных GaN-полевых транзистора с низким сопротивлением открытого канала и встроенный драйвер, что обеспечивает высокую эффективность и компактные размеры.
Преимущества
- Высокая эффективность: благодаря использованию GaN-технологии достигается высокая эффективность при низких потерях на сопротивлении Rds(on).
- Компактный размер: интеграция драйвера и двух транзисторов в одном корпусе позволяет значительно сократить занимаемую площадь на плате.
- Высокая скорость переключения: GaN-транзисторы обладают высокой скоростью переключения, что уменьшает потери на переключение и повышает общую эффективность системы.
- Интеграция схем защиты: встроенная защита от пониженного напряжения (UVLO) обеспечивает безопасную работу устройства.
Недостатки
- Высокая стоимость: GaN-компоненты зачастую дороже традиционных кремниевых транзисторов.
- Теплоотвод: несмотря на высокую эффективность, при высоких токах может потребоваться дополнительное охлаждение.
Типовое использование
- Синхронные понижающие преобразователи (Buck-конвертеры)
- Инверторы
- DC-DC преобразователи
- Приводы электромоторов
- Высокочастотные переключающие схемы
Рекомендации по применению
- Обязательно используйте качественные конденсаторы для обеспечения стабильного питания.
- Разработайте качественную систему теплоотвода, если устройство работает в критических режимах.
- Следуйте рекомендациям по разводке PCB от производителя для минимизации электромагнитных помех (EMI) и обеспечения стабильной работы.
Основные технические характеристики
- Конфигурация: Полумостовой драйвер
- Напряжение питания (Vcc): 4.75В - 5.25В
- Напряжение нагрузки: до 80В
- Ток на канал: 10A
- Сопротивление Rds(on): 15 мОм (верхний и нижний транзисторы)
- Рабочая температура: -40°C до 125°C (Тj)
- Корпус: 9-QFN (8x6 мм)
- Особенности: Встроенная схема Bootstrap, защита от пониженного напряжения (UVLO)
Возможные аналоги
- EPC2034: от Efficient Power Conversion Corporation
- GS66508B: от GaN Systems
- TP90H050WS: от Texas Instruments (если нужен кремниевый аналог)
LMG5200MOFR — это отличное решение для применений, требующих высокой эффективности и компактных размеров, благодаря использованию передовой GaN-технологии и интеграции драйвера.
Описание товара
- Datasheet [2]: Перейти
Упс!
Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.
