LMG3526R050RQST

Описание компонента LMG3526R050RQST от Texas Instruments

Общее описание

Компонент LMG3526R050RQST от Texas Instruments представляет собой высокопроизводительный GaN FET (транзистор на основе нитрида галлия), предназначенный для использования в различных приложениях питания. Это устройство обеспечивает высокую эффективность и быстрое переключение благодаря низкому сопротивлению и малой индуктивности. LMG3526R050RQST особенно подходит для высокочастотных и высокопроизводительных приложений, таких как источники питания, инверторы и зарядные устройства.

Преимущества

• Высокая эффективность: Низкое сопротивление и малая индуктивность уменьшают потери энергии.
• Высокоскоростное переключение: Обеспечивает высокую частоту коммутации, что позволяет использовать меньше пассивных компонентов и увеличить эффективность.
• Компактность: В состоянии управления импульсами требуются меньшие по размеру теплоотводы.
• Низкие потери на переключение: Меньшие потери на переключение по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.

Недостатки

• Стоимость: GaN FET могут быть дороже по сравнению с традиционными кремниевыми FET.
• Чувствительность к рабочим условиям: Требует внимательного проектирования схемы и управления тепловым режимом.

Типовое использование

• Высокочастотные источники питания
• DC-DC преобразователи
• Инверторы для солнечных панелей
• Быстрое зарядное оборудование
• Бесперебойные источники питания (UPS)

Рекомендации по применению

• Обеспечьте надлежащий контроль теплового режима для поддержания надежной работы устройства.
• Используйте высококачественные компоненты для минимизации паразитных индуктивностей.
• Продумайте дизайн печатной платы для минимизации электромагнитных помех (EMI).

Основные технические характеристики

• Тип вывода: P-канальный FET
• Напряжение нагрузки: 650 В
• Напряжение питания (Vcc/Vdd): 7.5 В ~ 18 В
• Максимальный ток выхода: 32 А
• Сопротивление Rds On (Typ): 43 мОм
• Интерфейс: PWM
• Рабочая температура: -40°C ~ 150°C (TJ)
• Тип монтажа: Поверхностный монтаж, с мокрыми фланцами
• Корпус: 52-VQFN (12x12)

Возможные аналоги

• LMG3410R050: Еще один высокопроизводительный канал GaN FET от Texas Instruments с аналогичными характеристиками.
• EPC2022 от Efficient Power Conversion (EPC): Популярный GaN FET, обладающий характеристиками, позволяющими использовать его в аналогичных приложениях.
• GS66508T от GaN Systems: Альтернативный GaN FET с аналогичными позитивными характеристиками и областями применения.

Заключение

LMG3526R050RQST от Texas Instruments — мощный и эффективный GaN FET, подходящий для широкого спектра питания и зарядных приложений. Его высокие характеристики и надежность делают его отличным выбором для современных высокопроизводительных систем.