LMG3526R050RQSR

4 245,60 ₽
Количество: в наличии (удаленный склад)
  • Точный срок поставки и актуальная стоимость будут указаны после размещения заказа
  • На сайте представлен не весь ассортимент, оставляйте заявку

Описание

Описание для LMG3526R050RQSR от Texas Instruments

Название компонента: LMG3526R050RQSR
Производитель: Texas Instruments

Общее описание

LMG3526R050RQSR - это 650-вольтовый 50-омный полевой транзистор (FET) на основе галлий-нитрида (GaN) от Texas Instruments. Этот высокопроизводительный FET идеально подходит для применения в мощных и высокоэффективных системах питания. Он разработан для оптимизации коммутации и повышения энергоэффективности, что делает его отличным выбором для современных силовых решений.

Преимущества

  • Высокая эффективность: Благодаря использованию GaN технологии, этот FET обеспечивает высокую энергоэффективность, что позволяет снизить потери при преобразовании энергии.
  • Быстрая коммутация: GaN FET обеспечивает более быструю коммутацию по сравнению с традиционными кремниевыми MOSFET.
  • Компактный размер: Компонент представлен в корпусе VQFN, что позволяет экономить место на печатной плате и реализовывать более компактные конструкции.
  • Низкое сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)): Обеспечивает минимальные потери тепла и повышенную производительность.

Недостатки

  • Стоимость: GaN FET могут быть дороже по сравнению с традиционными MOSFET.
  • Требования к монтажу: Пайка и монтаж GaN компонентов требуют аккуратности из-за их чувствительности к высокотемпературным процессам.

Типовое использование

  • Системы питания: Используется в высокоэффективных источниках питания для серверов, телекоммуникационного оборудования и компьютерных систем.
  • Солнечные инверторы: Повышает эффективность преобразования энергии в системах солнечных инверторов.
  • Электромобильные зарядные станции: Обеспечивает высокую мощность и эффективность зарядных станций для электротранспорта.
  • Индустриальные силовые системы: Применяется в системах управления мощностью на промышленных предприятиях.

Рекомендации по применению

  • Теплоотвод: При проектировании учитывайте необходимость отвода тепла, так как высокая мощность может приводить к нагреву компонента.
  • Защита от перенапряжений: Убедитесь в наличии защитных схем от скачков и перенапряжений для предотвращения повреждений.
  • Цепи коммутации: Используйте высокочастотные цепи коммутации для максимальной эффективности.

Основные технические характеристики

Характеристика Значение
Макс. напряжение на стоке 650 В
Сопротивление в открытом состоянии (Rds(on)) 50 мОм
Макс. ток стока 32 А
Тип корпуса 52-VQFN (12x12)
Диапазон рабочих температур -40°C до 150°C (Tj)
Защита Термозащита, защита от короткого замыкания, защита по токовой нагрузке, UVLO

Возможные аналоги

  • LMG3410R070 - от Texas Instruments: схожие характеристики, но с немного более высоким сопротивлением в открытом состоянии.
  • GS66508T - от GaN Systems: аналогичный GaN FET с похожими параметрами и областью применения.

Этот компонент представляет собой отличное решение для высокоэффективных силовых систем, требующих низких потерь и высокой плотности мощности.

Описание товара

Упс!

Извините, но кажется, некоторые товары недоступны в выбранном количестве.

ОК